[发明专利]水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法在审
| 申请号： | 201410029601.5 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103741203A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈达贵;黄丰;林璋;黄嘉魁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水热法 生长 cui 矿化剂 晶体生长 方法 | ||
1.一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的矿化剂水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体。
2.如权利要求1所述的一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的CuI晶体的生长方法为水热法，包括如下步骤：将CuI粉末培养料放入高压釜下部的溶解区，将CuI籽晶放入高压釜的上部生长区，往高压釜中加入权利要求1所述的矿化剂的水溶液，溶质摩尔浓度为0.3～6.0mol/L。控制溶解区温度为100～250℃，生长区的温度为80～230℃，使溶解区的温度高于生长区的温度，控制温差为20～80℃，工作压力为1.0～50MPa，恒温生长，最后降温开釜，即得到CuI晶体。
3.根据权利要求1和2所述的一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的矿化剂水溶液的在高压釜中的填充度为50～90％。
4.根据权利要求2所述的一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的溶解区温度优选为200～220℃。
5.根据权利要求2所述的一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的生长区温度优选为160～180℃。
6.根据权利要求2所述的CuI单晶体的生长方法，其特征在于：所述的温差优选为30～50℃。
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