[发明专利]用于蚀刻机台的喷酸装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种用于蚀刻机台的喷酸装置。

背景技术

现有技术中，在非金属蚀刻机台（non-metal etcher）和铟锡氧化物蚀刻机台（ITO etcher）中因酸性气体（chemical gas，简称酸气）会通过玻璃基板（glass）的传送而带到中央腔室（neu chamber，也称BUFFER），经由中央腔室排气装置（neu chamber exhaust）使酸气中的水分减少，经过一段时间会形成化学（chemical）结晶而堆积在中央腔室和蚀刻腔室之间的卷门（shuttle door）上。

因卷门结晶会刮伤玻璃基板表面，而形成缺陷造成产品的报废。并且清除结晶需花费人力、物力跟时间。因此，需要可减少产品的报废(Scrap)、减少制程成本、提升产品良率(Yield)的新技术。

图1所示为现有技术中的一种常用蚀刻机台，其是一种湿蚀刻机台(WET etcher)，其传送玻璃方式是以U型（U-type）方式。将玻璃基板由卡匣（Cassette）取出后，放入入口输送机21(Entrance conveyor，简称IN CV)，而开始进行玻璃基板的传送以及其蚀刻制程。

如图1所示，蚀刻机台的中央为中央踏台1，两侧分别排布入口输送机21、出口输送机31和各个腔室。

如图1所示的湿蚀刻机台目前的设计为：由自动机械（Robot，机器人或机械臂）将玻璃基板8由存放的卡夹取出后，放到IN CV21，依次经过EUV22→中央腔室23→蚀刻腔室24、25、26、27→清洗腔室（RINSE）37、36、35→气刀单元34（A/K）→CV33、32，直至出口输送机31（OUT CV），再由自动机械将玻璃基板存放入卡夹(Cassette)。

如图2所示，由于玻璃基板8由中央腔室23向与其相邻的蚀刻腔室24传送时，酸气会从卷门4溢散出来，长时间下来会在卷门4上形成酸结晶(chemical crystal)，当结晶形成后会对后面的玻璃基板8通过造成刮伤，刮伤的面积大时就会造成报废。

现有技术的蚀刻机台，虽然有卷门4可以挡住大部分的酸气，但是不足以避免在卷门4上形成结晶。

故需要避免在中央腔室23与蚀刻腔室24之间的卷门上形成结晶。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的为提供一种能够避免在中央腔室与蚀刻腔室之间的卷门上形成结晶的用于蚀刻机台的喷酸装置。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种喷酸装置，用于蚀刻机台，所述蚀刻机台具有中央腔体和蚀刻腔室，且所述中央腔室与所述蚀刻腔室之间具有卷门，其特征在于，所述喷酸装置包括：酸性液体源，存储有酸性液体；连接管路，连接于所述酸性液体源以传输所述酸性液体；喷射装置，设置于所述连接管路末端，用以向所述卷门喷射所述酸性液体以避免在所述卷门上形成结晶。

一种避免形成结晶的方法，用于避免蚀刻机台的中央腔室与蚀刻腔室之间的卷门上形成结晶，其中，所述避免形成结晶的方法包括步骤；步骤S1：设置连接管路，以向所述卷门所处位置传送酸性液体；步骤S2：在所述连接管路的末端设置喷射装置；步骤S3：设置控制装置，控制所述喷射装置喷射酸性液体，以调整所述卷门所处环境的湿度。

本发明的蚀刻机台，具有本发明的喷酸装置。

本发明的有益效果在于：

1.能有效去除结晶产生

因在中央腔室中有增设排气装置会加速结晶物生成。若装设本发明的喷酸装置能有效使卷门长时间保持湿润状态而不易产生结晶物。

2.提升良率

因结晶物生成将导致正常产品的刮伤、ILD/ITO被损坏而报废。故本发明可减少产品的报废、减少制程成本、提升产品良率(Yield)。

3.降低前制程基板异常造成人力花费

基于第一项的优点，亦可降低人员的负担(Loading)，减少人力的成本花费，尽而使公司可获得最佳之人力(Man power)运用效率。

4.减少机台宕机时间，提升机台使用率

基于第一项的优点，亦可降低ILD/ITO密度所造成的当机时间(Down time)，提升机台使用率(Up time)，使产能利用率发挥至最大效率。

5.降低各式生产成本

基于上述的优点，对公司各式生产成本可大幅降低(Cost down)。

6.增设的装置成本低