[发明专利]一种触控面板及其制造方法在审
申请号: | 201410031065.2 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN103941910A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 孟桂超;张颖玲 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种触控面板制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上依次形成第一保护层和第一金属层;
对所述第一金属层和第一保护层进行构图,形成第一金属线图案,并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层;
形成第二保护层;
沉积第二金属层,并对应形成第二金属线图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在形成第二金属线图案后进一步包括:形成第三保护层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层之后,所述方法进一步包括:
对黑矩阵图案的表面进行平整化处理。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上形成第一保护层为:
在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上沉积SiNx、SiOx、或AlOx非金属材料,形成第一保护层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述形成第二保护层为:
通过PECVD沉积第二保护层。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述第一金属层和第二金属层所选材料为:透明或不透明金属。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述透明金属为氧化物金属,所述不透明金属选为阵列基板的栅极材料。
8.一种触控面板,其特征在于,所述触控面板包括:玻璃基板、位于玻璃基板表面的黑矩阵图案,还包括第一金属线图案、位于所述黑矩阵图案与第一金属线图案之间的第一保护层、用于保护第一金属线图案的第二保护层;其中,
所述第一保护层与所述第一金属线图案相邻接,且具有相同的形状;
未被所述第一保护层覆盖的黑矩阵图案区域被所述第二保护层覆盖;
所述触控面板进一步包括,位于所属第二保护层上方的第二金属层。
9.根据权利要求8所述的触控面板,其特征在于,所述触控面板还包括:位于第二金属层上方的第三保护层。
10.根据权利要求9所述的触控面板,其特征在于,所述第二金属层为铟锡金属氧化物ITO层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410031065.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。