[发明专利]一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺

权利要求书

1.一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层，其特征是该钝化层是由氧化铒构成。

2.按照权利要求1所述的P型晶体硅太阳能电池的钝化层，其特征是所述的钝化层用于P型晶体硅太阳能电池的背光面P型一侧。

3.一种钝化权利要求1或2所述的P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺， 其特征是在P型晶体硅太阳能电池的制作中，当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后，先在P型晶体硅衬底背光面的P型一侧沉积氧化铒钝化层，然后进行退火处理，在钝化层与P型晶体硅衬底背光面的P型一侧之间形成SiO₂缓冲层，完成钝化层的制备。

4.按照权利要求3所述的钝化P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是所述的沉积于P型晶体硅太阳能电池衬底背光面的P型一侧的氧化铒钝化层，其厚度为0.5~10nm。

5.按照权利要求3所述的钝化P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是所述的氧化铒钝化层制备方法为ALD方法。

6.按照权利要求5所述的钝化P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是所述的氧化铒钝化层的ALD制备方法中，前驱体为铒的有机金属化合物，氧的提供者为去离子水、臭氧或氧气中的任一种或几种，腔室的反应温度为150~500℃，压力为50~100Pa，蒸发温度为50~200℃，腔室的清洗气体为惰性气体Ar或N₂，沉积周期为5-100个周期。

7.按照权利要求3所述的钝化P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是所述的退火处理形成SiO₂缓冲层的工艺，是将沉积有氧化铒钝化层的P型晶体硅电池片，放入通有保护性气体的退火炉中，退火温度为300~600℃，退火时间0.5~4小时，在钝化层与P型晶体硅衬底背光面的P型一侧之间形成SiO₂缓冲层。

8.按照权利要求7所述的钝化P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是所述的退火处理工艺中的保护性气体采用Ar、N₂、N₂O、H₂、O₂中的至少一种。

9.按照权利要求3所述的钝化P型晶体硅太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是所述的SiO₂缓冲层厚度为0.5~2nm。