[发明专利]晶圆图参数调整方法及系统

权利要求书

1.一种晶圆图参数调整方法，其特征在于，包括如下步骤：

S100，在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆，接收到晶圆图参数调整命令信号后，控制升降台带动所述装载盒上升；

S200，晶圆检测传感器实时扫描所述装载盒，并产生脉冲信号；

S300，计算机控制所述脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；

S400，根据所述脉冲信号的所述上升沿对应的升降台位置参数/所述下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；

S500，根据所述晶圆参数，计算晶圆图参数，并将所述晶圆图参数存储至第二存储模块中；

其中，当所述晶圆检测传感器扫描到所述第一晶圆时，产生第一脉冲信号；

当所述晶圆检测传感器扫描到所述第二晶圆时，产生第二脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S300包括如下步骤：

S310，检测到所述脉冲信号的上升沿/下降沿后，触发操作；

S320，根据当前所述脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值在所述第一存储模块中的存储位置；

S330，根据所述判断，将当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值存储至所述第一存储模块中另一存储位置，并修改当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值。

3.根据权利要求2所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S400包括如下步骤：

S410，检测所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值是否相同；

S420，当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将所述第一脉冲信号的上升沿/下降沿、所述第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的所述升降台位置参数存储至相应寄存器中；

S430，根据公式：

晶圆间距＝(所述第二脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数)/(晶圆总片数－1)

计算所述晶圆间距；

S440，检测所述晶圆间距；

S450，当所述晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；

S450’，当所述晶圆间距小于或等于所述第一预设值时，根据公式：

晶圆厚度＝所述第一脉冲信号的上升沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数

计算所述晶圆厚度；

S460，检测所述晶圆厚度；

S470，当所述晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将所述晶圆厚度/2存入变量Wafer_half_thickness中；

S470’，当所述晶圆厚度大于所述晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；

其中，所述晶圆检测厚度最大值小于或等于所述晶圆间距/3。

4.根据权利要求3所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S400还包括如下步骤：

S420’，当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值不同时，发出报警指令。

5.根据权利要求3或4所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S500包括如下步骤：

S510，根据公式：

第一片晶圆位置参数＝所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述变量Wafer_half_thickness+第一误差值

计算所述第一片晶圆位置参数；

S520，根据公式：

第一斜片检测位置参数＝所述第一片晶圆位置参数+所述晶圆间距/2

计算所述第一斜片检测位置参数。