[发明专利]一种太阳能电池的钝化层及其制备工艺

权利要求书

1.一种太阳能电池的钝化层，其特征是该钝化层是由稀土氮化物构成。

2.按照权利要求1所述的稀土氮化物，其特征是所述的稀土氮化物为氮化镧（LnN）、氮化鐠（PrN）、氮化铷（NdN）、氮化钷（PmN）、氮化钐（SmN）、氮化铕（EuN）、氮化铽（TbN）、氮化镝（DyN）、氮化鈥（HoN）、氮化铥（TmN）、氮化镱（YbN）、氮化镥（LuN）、氮化钪（ScN）、氮化钇（YN）、氮化钆（GdN）、氮化铈（CeN2）、氮化铒（ErN）)中的一种 。

3.按照权利要求1所述的太阳能电池的钝化层，其特征为所述的钝化层钝化于P型晶体硅电池背光面的P型一侧。

4.一种制备权利要求1、2、3所述的太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是：在P型晶体硅的制作中，当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后，采用MOCVD沉积方法在P型晶体硅衬底的P型一侧沉积稀土氮化物钝化层，并在稀土氮化物钝化层上沉积铝保护膜，完成钝化层的制备。

5.按照权利要求4所述的制备太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是：所沉积的稀土氮化物钝化层的厚度为1～10nm。

6.按照权利要求4所述的制备太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是：在稀土氮化物的MOCVD沉积方法中，稀土元素的前驱体为稀土元素的有机金属化合物，氮的提供者为氮气，腔室的反应温度为500～900℃，压力为1～5mbar，蒸发温度为100～140℃，沉积时间为10～60s。

7.按照权利要求4所述的制备太阳能电池的钝化层的工艺，其特征是：在完成稀土氮化物钝化层的沉积后，在同一腔室内立即进行铝保护膜的沉积，铝的前驱体为三甲基铝TMAl，载气为H₂，沉积温度为400～600℃，蒸发温度为80～120℃，厚度为10～100nm。