[发明专利]一种基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针及其制备方法

权利要求书

1.一种基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针，包括基底电极，其特征在于，所述的神经元探针在基底电极表面修饰三维多孔网络结构的CNT/CP纳米复合材料，所述的CNT/CP纳米复合材料首先采用电泳法在基底电极表面沉积CNT，CNT集束后构成三维多孔网络结构的CNT网络涂层，然后采用电化学脉冲聚合法在CNT网络上沉积CP，CP同轴包覆在CNT管束表面。

2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针，其特征在于，所述的碳纳米管为单壁碳纳米管（SWNT）。

3.根据权利要求1所述的基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针，其特征在于，所述的神经元探针中CNT管束直径为10-20 nm，CP同轴包覆在CNT管束上的厚度为3-6 nm。

4.根据权利要求1所述的基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针，其特征在于，所述的三维多孔网络结构的CNT/CP纳米复合材料其孔径直径范围在30-150 nm。

5.根据权利要求1所述的基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针，其特征在于，所述的神经元探针采用以下方法制备，首先在CNT分散液中添加多价金属离子形成电解液，采用电泳法在基底电极表面沉积CNT形成三维多孔网络CNT涂层；然后采用电化学脉冲聚合法在CNT网络上沉积CP，同轴包覆在CNT管束表面，在基底电极表面形成具有三维多孔结构的CNT/CP纳米复合网络，即制得所述的基于CNT/CP的神经元探针。

6.一种基于CNT/CP的神经元探针的制备方法，其特征在于，首先在CNT分散液中添加多价金属离子形成电解液，采用电泳法在基底电极表面沉积CNT形成三维多孔网络CNT涂层；然后采用电化学脉冲聚合法在CNT网络上沉积CP，同轴包覆在CNT管束表面，在基底电极表面形成具有三维多孔结构的CNT/CP纳米复合网络，即制得所述的基于CNT/CP的神经元探针。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：

a) 将纯化处理后的CNT分散于乙醇溶液中，添加多价金属离子形成电解液，在基底电极表面电泳沉积CNT形成三维多孔网络CNT涂层，然后浸泡冲洗除去共沉积的多价金属离子，制得CNT修饰探针；

b) 步骤a)得到的CNT修饰探针干燥后，在其表面采用电化学脉冲聚合法沉积CP；采用三电极体系，所述的CNT修饰探针作为工作电极，在电解质和CP单体混合水溶液中进行电化学脉冲聚合，在基底电极上的三维多孔网络CNT涂层表面聚合形成CP层，CP同轴包覆CNT管束，即制得所述的基于CNT/CP的神经元探针。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述的多价金属离子选自Al³⁺、Ni²⁺、Co²⁺或Mg²⁺，电解液多价金属离子浓度 0.1～2mM。

9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述的电解液中CNT浓度为0.01～0.2 mg/mL；电泳沉积的电压和时间为50～200V，5～60min。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤b)中，CP单体选自苯胺、吡咯、噻吩，或是它们的衍生物。