[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极，每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，其特征在于，

每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；

任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

每个所述像素单元中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元，绿子像素单元，蓝子像素单元，每个子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数Q为3；

其中，所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d₁；

所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d₂；

所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d₃；

所述d₁，所述d₂和所述d₃满足d₁=d₂<d₃。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述d₁为4um，所述d₂为4um，所述d₃为6um。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述d₁为4.5um，所述d₂为4.5um，所述d₃为6.5um。

5.一阵显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1至权利要求4任意一项权利要求所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极，每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，其特征在于，所述方法包括：

针对任意一个子像素单元，在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极；

其中，每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；

任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极包括：

在形成有薄膜晶体管TFT的基板上沉积第二透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成第二电极；

在形成有所述第二电极的基板上形成钝化层；

在形成有所述钝化层的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，

每个所述像素单元中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元，绿子像素单元，蓝子像素单元，每个子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数Q为3；

其中，所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d₁；

所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d₂；

所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d₃；

所述d₁，所述d₂和所述d₃满足d₁=d₂<d₃。