[发明专利]混合的连续和不连续模式操作

权利要求书

1.一种系统，包括：

电压变换器模块，其包括电感器以用于产生输出电压；

零电流检测模块，其用于确定流经所述电感器的电流何时为零或低于零；以及

控制模块，其用于以连续导电模式来对所述电压变换器模块进行操作，直到所述零电流检测模块确定所述电感器电流为零或低于零，并且在所述零电流检测模块确定所述电感器电流为零或低于零之后，以数字不连续导电模式来对所述电压变换器模块进行操作。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电压变换器模块包括DC-DC同步降压变换器。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电压变换器模块进一步包括耦合到所述电感器的高侧晶体管和低侧晶体管。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述零电流检测模块包括比较器，当所述电感器电流为零或低于零时，所述比较器向所述控制模块输出信号，其中，所述电感器电流的状态是基于所述比较器确定在所述低侧晶体管导通期间开关节点电压大于零来进行感测的。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述数字不连续导电模式包括由所述控制模块中的控制器实施的控制算法，所述控制算法产生用于驱动所述高侧晶体管和所述低侧晶体管的信号。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述控制算法不需要在操作期间从所述电压变换器模块测得的输入就能产生所述驱动信号。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，在产生所述驱动信号时，所述控制器基于所述高侧晶体管的晶体管导通时间和驱动所述高侧晶体管的信号的占空比来确定所述高侧晶体管的晶体管截止时间。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述高侧晶体管截止时间等于所述高侧晶体管导通时间*（1–高侧晶体管占空比）/高侧晶体管占空比。

9.一种方法，包括：

以连续导电模式来对电压变换器模块进行操作；

确定所述电压变换器模块中的电感器中的电流；以及

当所述电感器电流被确定为零或低于零时，转变为以数字不连续导电模式来对所述电压变换器模块进行操作。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电压变换器模块包括DC-DC同步降压变换器。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述数字不连续导电模式包括控制算法，所述控制算法产生用于驱动所述电压变换器模块中的高侧晶体管和低侧晶体管的信号。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述控制算法不需要在操作期间从所述电压变换器模块测得的输入就能产生所述驱动信号。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，产生所述驱动信号包括基于所述高侧晶体管的晶体管导通时间和驱动所述高侧晶体管的信号的占空比来确定所述高侧晶体管的晶体管截止时间。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述高侧晶体管截止时间等于所述高侧晶体管导通时间*（1–高侧晶体管占空比）/高侧晶体管占空比。

15.至少一种机器可读的存储介质，所述至少一种机器可读的存储介质上单独地或组合地存储有指令，当所述指令被一个或多个处理器执行时，进行以下操作：

以连续导电模式来对电压变换器模块进行操作；

确定所述电压变换器模块中的电感器中的电流；以及

当所述电感器电流被确定为零或低于零时，转变为以数字不连续导电模式来对所述电压变换器模块进行操作。

16.根据权利要求15所述的介质，其中，所述电压变换器模块包括直流DC-DC同步降压变换器。

17.根据权利要求15所述的介质，其中，所述数字不连续导电模式包括控制算法，所述控制算法产生用于驱动所述电压变换器模块中的高侧晶体管和低侧晶体管的信号。

18.根据权利要求17所述的介质，其中，所述控制算法不需要在操作期间从所述电压变换器模块测得的输入就能产生所述驱动信号。

19.根据权利要求17所述的介质，其中，产生所述驱动信号包括基于所述高侧晶体管的晶体管导通时间和驱动所述高侧晶体管的信号的占空比来确定所述高侧晶体管的晶体管截止时间。

20.根据权利要求19所述的介质，其中，所述高侧晶体管截止时间等于所述高侧晶体管导通时间*（1–高侧晶体管占空比）/高侧晶体管占空比。