[发明专利]一种监控晶圆的使用方法有效
申请号: | 201410032441.X | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810302B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 张彦平 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/673 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100871 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 监控 及其 制备 方法 | ||
1.一种监控晶圆的使用方法,其特征在于,包括:
在对机台进行overlay测量工艺稳定性监控时,采用通过单层刻蚀得到的具有外盒结构的监控晶圆,当所述机台上正在使用的所述监控晶圆损坏时,用具有相同所述外盒结构的监控晶圆替代即可;其中,所述外盒结构的外边缘用S1表示,内边缘用S2表示,x1’为所述外盒结构的右侧外边缘S1与内边缘S2之间的距离,x2’为所述外盒结构的左侧外边缘S1与内边缘S2之间的距离,y1’为所述外盒结构的上侧外边缘S1与内边缘S2之间的距离,y2’为所述外盒结构的下侧外边缘S1与内边缘S2之间的距离,得到的检测结果为:X方向:(x2’-x1’)/2,Y方向:(y2’-y1’)/2,所述监控晶圆的图形的检测结果的目标值为零;
其中,所述外盒结构的内边缘与外边缘为同心图形。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述监控晶圆的图形形状为圆形或方形。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述监控晶圆的图形为方形时,所述监控晶圆的图形在四边方向的内边缘与外边缘之间的距离均相同。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述监控晶圆的图形的内边缘的边长为20um,外边缘为的边长为30um。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,不同的监控晶圆的图形上内边缘与外边缘之间的距离不唯一,根据所述监控晶圆的使用场景选择内边缘与外边缘不同距离的监控晶圆的图形。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述监控晶圆的图形的检测结果的目标值为零,有明确的目标值,当机台目标值漂移时,及时进行调整。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造