[发明专利]匀气结构及等离子体系统在审
申请号: | 201410032672.0 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810238A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 李广 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 陈振 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 等离子体 系统 | ||
1.一种匀气结构,其特征在于,包括匀气板与进气板;
所述匀气板上设置通孔;
所述进气板覆盖在所述匀气板的通孔上,所述进气板上设置喷气孔。
2.根据权利要求1所述的匀气结构,其特征在于,所述通孔的尺寸和形状与所述进气板的尺寸和形状相匹配;
所述进气板活动安装于所述匀气板的通孔内。
3.根据权利要求1所述的匀气结构,其特征在于,所述通孔的数量为多个。
4.根据权利要求1所述的匀气结构,其特征在于,所述喷气孔的数量为多个。
5.一种等离子体系统,包括腔体、介质窗与喷嘴,其特征在于,还包括权利要求1至4任一项所述的匀气结构;
所述介质窗置于所述腔体的开口上;
所述介质窗的中部设置安装孔,所述喷嘴插入所述安装孔中;
所述匀气板置于所述喷嘴的下方,并安装于所述介质窗上;
气体从所述喷嘴中流入,经由所述通孔与所述喷气孔位置对应的重叠部分,通入所述腔体内。
6.根据权利要求5所述的等离子体系统,其特征在于,在所述介质窗靠近所述腔体的端面的中部设置凹槽;
所述安装孔位于所述凹槽的底部;所述匀气板内嵌于所述凹槽内;
所述匀气板与所述凹槽的底部之间具有预设的距离。
7.根据权利要求5所述的等离子体系统,其特征在于,所述介质窗靠近所述腔体的端面为平面;
所述匀气板为槽形,所述匀气板的槽形开口朝向所述介质窗。
8.根据权利要求6或7所述的等离子体系统,其特征在于,所述匀气板活动安装于所述介质窗上;
所述匀气板与所述介质窗之间设置密封胶圈。
9.根据权利要求5所述的等离子体系统,其特征在于,所述喷气孔的形状为圆形、椭圆形、菱形或方形。
10.根据权利要求5所述的等离子体系统,其特征在于,还包括盲板;
所述盲板的数量与所述进气板的数量之和等于所述通孔的数量;
当多个所述通孔中的部分所述通孔上未对应覆盖所述进气板时,所述盲板覆盖在未覆盖所述进气板的所述通孔上。
11.根据权利要求6或7所述的等离子体系统,其特征在于,所述进气板通过紧固件安装于所述匀气板上。
12.根据权利要求5所述的等离子体系统,其特征在于,所述匀气板、所述进气板的材料与所述介质窗相同。
13.根据权利要求12所述的等离子体系统,其特征在于,所述匀气板、所述进气板与所述介质窗的材料为石英。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410032672.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:改善沟槽形貌方法
- 下一篇:可用于电力或电子系统的机械式直流断路器、电力机械
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造