[发明专利]静电放电电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一节点，被配置为接收输入或输出；

第二节点，被配置为耦合于参考电压；

输出驱动器，电耦合于所述第一节点和所述第二节点；以及

静电放电电路，电耦合于所述第一节点、所述第二节点和所述输出驱动器，所述静电放电电路包括：

高通滤波器，被配置为检测所述第一节点处的静电放电事件；

驱动级电路，电耦合于所述高通滤波器和所述输出驱动器，所述驱动级电路被配置为当所述高通滤波器检测到所述静电放电事件时接收源自所述高通滤波器的信号，并且还被配置为响应于源自所述高通滤波器的所述信号使所述输出驱动器的输入分流到所述第二节点，其中所述驱动级电路包括：

第一晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第一晶体管的所述漏极耦合于所述第一节点以及所述第一晶体管的所述栅极耦合于所述高通滤波器；

第二晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第二晶体管的所述源极耦合于所述第一晶体管的所述源极以及所述第二晶体管的所述栅极耦合于所述降压电路；

第三晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第三晶体管的所述漏极耦合于所述第二晶体管的所述漏极，所述第三晶体管的所述栅极耦合于所述降压电路，以及所述第三晶体管的所述源极耦合于所述第二节点；以及

第四晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第四晶体管的所述栅极耦合于所述第二晶体管的所述漏极，所述第四晶体管的所述源极耦合于所述第二节点以及所述第四晶体管的所述漏极耦合于所述输出驱动器；以及

降压电路，电耦合于所述驱动级电路并且被配置为偏置所述驱动级电路。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述高通滤波器包括：

第一电容器，包括第一端子和第二端子，其中所述第一电容器的所述第一端子耦合于所述第一节点；以及

第八晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第八晶体管的源极耦合于所述第一电容器的所述第二端子以及所述第八晶体管的所述栅极和漏极耦合于所述第二节点。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述高通滤波器包括：

第一电容器，包括第一端子和第二端子，其中所述第一电容器的所述第一端子耦合于所述第一节点；以及

第一电阻器，包括第一端子和第二端子，其中所述第一电阻器的所述第一端子耦合于所述第一电容器的所述第二端子以及所述第一电阻器的所述第二端子耦合于所述第二节点。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述静电放电电路还包括锁存电路，所述锁存电路包括：

第五晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第五晶体管的所述栅极耦合于所述第三晶体管的所述栅极，所述第五晶体管的源极耦合于所述第二节点以及所述第五晶体管的漏极耦合于所述第一晶体管的栅极；

第六晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述第六晶体管的所述栅极耦合于所述第四晶体管的所述栅极，所述第六晶体管的所述源极耦合于所述第二节点以及所述第六晶体管的所述漏极耦合于所述降压电路；以及

电阻器，包括第一端子和第二端子，其中所述电阻器的所述第一端子耦合于所述第二节点以及所述电阻器的所述第二端子耦合于所述第四晶体管的所述栅极。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述锁存电路还包括：

齐纳二极管，具有第一端子和第二端子，其中所述齐纳二极管的所述第一端子耦合于所述第二节点以及所述齐纳二极管的所述第二端子耦合于所述第一晶体管的所述栅极；以及

电容器，包括第一端子和第二端子，其中所述电容器的第一端子耦合于所述第二节点以及所述电容器的第二端子耦合于所述降压电路。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述高通滤波器包括：

第一电容器，包括第一端子和第二端子，其中所述第一电容器的所述第一端子耦合于所述第一节点以及所述第一电容器的所述第二端子耦合于所述第一晶体管的所述栅极；以及

第五晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中所述晶体管的源极耦合于所述第一电容器的所述第二端子以及所述第五晶体管的所述栅极和所述漏极耦合于所述第二节点。