[发明专利]常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统

说明书

本发明公开了一种常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统，其中方法包括：在工艺开始前，设置机台的初始状态为空闲状态并进行H2吹扫；将工艺流程划分为放片流程、工艺过程以及取片流程，其中，放片流程中包括放片前的准备动作、放片动作以及放片后的结束动作，取片流程中包括取片前的准备动作、取片动作以及取片后的结束动作，控制机台依次执行放片前的准备动作、放片动作、放片后的结束动作、工艺过程、取片前的准备动作、取片动作以及取片后的结束动作；在工艺结束后，设置机台的结束状态为空闲状态并进行H2吹扫。其避免了工艺流程中在每次放片或取片时的重复判断操作，使得流程清楚简单，便于对工艺执行过程的监控和维护。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统。

背景技术

在半导体加工过程中，进行常压化学气相淀积（APCVD）的设备结构如图1所示，包括两个片盒（cassette）1、第一机械手2、外阀3、交换腔（loadlock）4、调整机构（Aligner）5、内阀6、传输腔（TC）7、第二机械手8、门阀9及工艺腔（PM）10。

其中，cassette中一般设置有25个放置晶片（wafer）的片槽，一般存放的wafer包括5寸、6寸和8寸；第一机械手负责对cassette进行扫片，在扫片过程中，cassette保持不动，第一机械手的机械手臂上安装有一个红外探头，通过机械手臂的上下移动，来获知cassette中wafer的存放信息，第一机械手可以从cassette、loadlock以及Aligner中取放片。外阀用于将loadlock与第一机械手隔离。loadlock内只能存放一片wafer，loadlock具有核查wafer和压力控制的功能。内阀用于将loadlock与第第二机械手隔离。第二机械手负责从loadlock和PM中取放wafer。PM中设置有存放wafer的托盘，对于不同尺寸的wafer，托盘上存放的wafer个数也不一致。PM用于对托盘上的wafer进行相应的工艺操作。

现有的针对APCVD的工艺流程的控制方式，程序复杂，流程很不清晰，不利于对APCVD的Job进行监控和维护。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术的缺陷和不足，提供一种程序简单，流程清晰，便于对工艺流程进行监控和维护的常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统。

为实现本发明目的而提供的常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法，包括以下步骤：

S100，在工艺开始前，设置机台的初始状态为空闲状态并进行H2吹扫；

S200，将工艺流程划分为放片流程、工艺过程以及取片流程，其中，所述放片流程中包括放片前的准备动作、放片动作以及放片后的结束动作，所述取片流程中包括取片前的准备动作、取片动作以及取片后的结束动作，控制所述机台依次执行所述放片前的准备动作、放片动作、放片后的结束动作、工艺过程、取片前的准备动作、取片动作以及取片后的结束动作；

S300，在工艺结束后，设置所述机台的结束状态为空闲状态并进行H2吹扫。

其中，所述放片前的准备动作为：在第一机械手从片盒中取第一片晶片之前，控制工艺腔进行H2吹扫，并且执行找原点操作。

其中，所述放片后的结束动作为：在第二机械手将工艺所需的最后一片晶片传输到工艺腔中后，关闭门阀，控制传输腔停止N2吹扫。