[发明专利]抗静摩擦的MEMS器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201410033777.8 申请日: 2014-01-24
公开(公告)号: CN103964367B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 林义真;A·C·迈克奈尔;M·E·施拉曼 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 郭思宇
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 静摩擦 mems 器件 及其 操作方法
【说明书】:

技术领域

发明通常涉及微机电系统(MEMS)器件。更具体地说,本发明涉及对静摩擦有增强抵抗力的MEMS器件。

背景技术

微加工和其它微制作技术及工艺方面的进步使得能够制作各种微电子和微机电系统(MEMS)器件。MEMS的常见的应用是传感器器件的设计和制作。微机电系统(MEMS)传感器器件被广泛应用于例如汽车、惯性制导系统、家用电器、各种器件的保护系统、以及许多其它的工业、科学、以及工程系统。这种MEMS器件被用于感测物理状态,例如加速度、角速率、压力、温度等等,并且提供表示感测的物理状态的电信号。

附图说明

结合附图并参阅详细说明书以及权利要求,对本发明可有比较完整的理解。其中在附图中类似的参考符号表示相似的元件,以及:

图1根据一个实施例,示出微机电系统(MEMS)器件的侧视图;

图2示出图1的MEMS器件的顶视图;

图3示出可能包括图2的MEMS器件的半导体封装的侧视图;

图4示出图1的MEMS器件的方框图;

图5示出与MEMS器件的操作模式不同的弹簧刚度的变化的图表;

图6示出经历正常操作的MEMS器件的方框图;

图7示出经历静摩擦条件的MEMS器件的方框图;

图8示出在静摩擦条件之后经历恢复事件的MEMS器件的方框图。

具体实施方式

悬挂式可移动微结构,例如板和梁,通常用于各种微机电系统(MEMS)器件的制作中。悬挂式微结构通常有带有高刚度的大表面积。然而,这种用于悬挂式微结构的悬挂弹簧可能具有相对低的刚度,这取决于应用。此外,微结构通常被制作成远离其支撑衬底几微米。这些特性的结合使得MEMS器件容易受到力的影响,该力可以使悬挂式可移动微结构垂直地朝向支撑衬底偏转和/或横向地朝向周围结构或横挡块偏转。如果偏转力足够强,可移动元件可以接触并暂时或永久地附着于底层衬底或横向结构,这就导致错误输出信号和/或器件故障。可移动结构的意外粘附被称为静摩擦。

静摩擦既可以在MEMS器件制作期间发生,也可以在正常使用期间发生。在正常使用期间,如果悬挂式可移动微结构通过外力,例如机械冲击被置于暂时或永久地接触其衬底,将会发生静摩擦。机械或物理冲击是例如由碰撞、下降、反弹等等引起的突然加速或减速。此外,或可替代地,机械冲击将导致MEMS器件内的各种元件的破损或断裂,这就永久地降低MEMS器件的长期可靠性。因此,机械冲击将对MEMS器件结构的可靠性造成严重的问题。

微电子器件行业逐渐朝向将多个传感器集成到单一的器件封装以降低成本和形成因素。在一个这样多传感器器件封装中,单一的MEMS半导体管芯可能包括加速计和角速率传感器。角速率传感器,也被称为陀螺仪,需要在真空中操作以为低压操作和高信号响应实现高品质因数Q。相反,加速计需要在阻尼模式,即在非真空环境中操作,以避免欠阻尼反应,其中器件的可移动元件可以经受多个振荡以响应于单一的干扰。

有不同压力要求的两种类型的器件对于将其集成到单一的器件封装造成重大问题。例如,在包括角速率传感器和加速计的多传感器封装中,所需的实现角速率传感器的高Q值的真空环境可能导致加速计在欠阻尼模式下操作。由于振动或机械冲击,加速计的欠阻尼操作模式可能加强可移动元件中的振荡响应,从而增加静摩擦故障的可能性。

实施例详细描述对未上电阶段和上电阶段的静摩擦有增强抵抗力的微机电系统(MEMS)器件。特别是,实施例详细描述带有可移动元件的MEMS器件,该元件通过弹簧构件悬挂在衬底之上,其中弹簧构件被设计带有比MEMS器件的灵敏度规范要求的标称弹簧常数高的机械弹簧常数。实施例还详细描述操作MEMS器件的方法,其中相对高偏压在上电阶段期间被施加于感测电极以通过弹簧软化作用增加可移动元件的灵敏度。由于可移动元件在上电阶段的欠阻尼响应,闭合回路反馈控制可以被利用以大大消除共振峰。当检测到静摩擦条件时,高偏压可以被移除以使可移动元件从静摩擦条件恢复。较高的机械弹簧常数在未上电阶段产生带有较大恢复力的较硬的弹簧以使得从静摩擦恢复。此外,由于弹簧相对硬,可移动元件有较高的自然频率,这使得它不太容易受到来自环境振动的干扰,否则将导致可移动元件的共振。因此,MEMS器件的可移动元件可以有效地在真空或低压环境中操作,其中在该环境中,欠阻尼响应将可能导致另一器件无效地操作。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410033777.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top