[发明专利]一种过氧化氢非酶电化学传感器及制备方法

权利要求书

1.过氧化氢非酶电化学传感器，其特征是利用H₂O₂存在下化学电极的响应检测H₂O₂；所述化学电极是一对贵金属纳米颗粒修饰的电极；所述贵金属是金、银、铂、钯或铱。

2.根据权利要求1所述的过氧化氢非酶电化学传感器，其特征是贵金属纳米颗粒修饰的电极是由束流沉积的方法在电极材料上沉积贵金属纳米颗粒，所述的纳米粒子沉积中，控制纳米颗粒沉积量在0.3层以上，在5层以内；采用玻碳电极材料或纳米石墨烯作为电极材料。

3.根据权利要求1所述的过氧化氢非酶电化学传感器，其特征是控制纳米颗粒沉积量0.5-0.7层。

4.根据权利要求1-3之一所述的过氧化氢非酶电化学传感器的制备方法，其特征是采用纳米粒子束流加工方法来制造其核心电极；步骤如下：

准备电极材料，对电极材料进行处理；采用束流沉积的方法在电极材料上沉积贵金属纳米颗粒，控制纳米颗粒沉积量在0.3层以上，在5层以内，以保证足够的孔隙率。纳米颗粒沉积量尤其是0.5-0.7层。

5.根据权利要求4所述的过氧化氢非酶电化学传感器的制备方法，其特征是先对电极材料做刻蚀后沉积金属颗粒，或将金属颗粒沉积在纳米电极材料上，之后移植到电极上，电极材料采用玻碳电极材料或纳米石墨烯材料。

6.根据权利要求4所述的过氧化氢非酶电化学传感器的制备方法，其特征是所述的束流沉积的方法是纳米粒子加工方法，一般采用差分抽气方法形成束流；其Ar气浓度在10Pa-500Pa之间，束流量在0.1～5A/s。

7.根据权利要求4所述的过氧化氢非酶电化学传感器的制备方法，其特征是所述对电极材料进行处理是采用离子刻蚀或者化学腐蚀的方法对电极材料处理提高电极孔隙率。

8.根据权利要求4所述的过氧化氢非酶电化学传感器的制备方法，其特征是玻碳电极的预处理与活化，依次用细金相砂纸、0.3～0.05μm氧化铝粉逐级抛光，将其打磨至镜面，洗去表面污物后，移入超声水浴中清洗2～3min；随后将电极放入0.5mol L^-1H₂SO₄溶液中用循环伏安法活化，所得循环伏安图中的峰电位差在80mV以下，并尽可能接近64mV，再使用电极。

9.根据权利要求8所述的过氧化氢非酶电化学传感器的制备方法，其特征是采用纳米颗粒束流源：将系统真空度达到1×10^-3Pa以上，采用差分真空形成在空中飞行的Ag纳米粒子束流，将Ag纳米颗粒束流引至玻碳电极，沉积至0.7层；在玻碳电极上施加1000V以上的电压提高纳米颗粒附着力。