[发明专利]一种金属连接件及功率半导体模块在审

专利信息
申请号: 201410033939.8 申请日: 2014-01-24
公开(公告)号: CN103779305A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 雷鸣 申请(专利权)人: 嘉兴斯达微电子有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 314006 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 连接 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种金属连接件,它主要由一端通过冷轧、滚压、冲压等方法使金属的晶格发生畸变从而具有较高机械强度的硬化端,另一端未做处理而保持原有机械强度的焊接端组成,其特征在于所述的硬化端(1)与焊接端(6)之间至少有一段具有一定坡度的硬化过渡段(3);所述硬化过渡段(3)与焊接端(6)之间至少有一带有较大圆弧折弯结构的缓冲段(5)。

2.根据权利要求1所述的金属连接件,其特征在于所述的与硬化过渡段(3)相邻有一非硬化段(4),其上开设有一用于连接件与绝缘外壳注塑或插接时提供稳固性的定位孔(41);所述的硬化端(1)头部具有使之能够方便插入外部电路板进行焊接的倒角。

3.根据权利要求1或2所述金属连接件,其特征在于所述硬化过渡段(3)与硬化端(1)之间有一段可以固定外部电路板、具有锥形结构的硬化段(2)。

4.一种使用如权利要求1或2或3所述金属连接件的功率半导体模块,其特征在于所述的金属连接件被注塑在一绝缘外壳(10)内,绝缘外壳(10)与一散热基板(12)通过密封胶(11)进行填充;半导体芯片(15)通过焊料(16)焊接在DBC上铜层(13)上,DBC上铜层(13)和下铜层(18)间具有陶瓷绝缘层(17),下铜层(18)通过焊料(19)焊接在散热基板上;半导体芯片通过金属线(14)将电极引到DBC上铜层(13)上,金属连接件的焊接端(6)通过大功率的超声波压接到DBC上铜层(13)上;金属连接件硬化端(1)插入外部电气端(7)的焊接孔(9)内并通过焊料(8)连接。

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