[发明专利]一种硅基APD红外敏感增强的方法

权利要求书

1.一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述方法在SF6气体氛围下对硅基APD的衬底进行飞秒辐照掺杂工艺。

2.    根据权利要求1所述的一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述方法具体步骤如下：

首先，以外延片作为硅基APD的原材料衬底片，对外延片进行氧化，生长12000±500 ?的氧化层；

然后，制造硅基APD的内部结构；

接下来，在SF6气体氛围下对硅基APD的衬底用飞秒激光器进行辐照，控制飞秒激光脉宽为100±20fs，脉冲频率为1±0.2kHz，压强为500torr±100torr。

3.根据权利要求2所述的一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述外延片包括硅衬底和硅外延层，其中硅衬底为P型重掺杂，硅外延层为P型轻掺杂。

4.根据权利要求2所述的一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述氧化层的厚度为12000?。

5.根据权利要求2所述的一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述硅基APD的内部结构的具体制造步骤如下：

（1）先在电阻率为2-10mΩ.cm的硅外延层上进行光刻腐蚀工艺制造出P+层注入窗口，之后进行浓度为E15-E16cm^-3 的硼杂质注入，制造出P+层；

（2）再次进行光刻腐蚀工艺，在P+层制造出N+注入窗口，之后进行浓度为E17-E18cm^-3 的磷注入，制造出N+层；

（3）将注入的磷和硼扩散到器件内部；

（4）去除扩散后形成的器件表面的氧化层；

（5）进行氧化工艺，形成有源区隔离层；

（6）进行光刻腐蚀工艺，在有源区隔离层上制造出接触孔；

（7）溅射金属，并通过光刻腐蚀工艺制造出阴极接触和阳极接触。

6.根据权利要求2所述的一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述飞秒辐照的具体步骤如下：把硅基APD放在真空室的二维转台上，调节平衡和准直，使激光光束对准硅基APD，调整飞秒激光脉宽和脉冲频率，飞秒激光经过准直后照射放于二维转动控制台上的硅基APD，压强通过抽气阀和充气阀调节。

7.根据权利要求2所述的一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述飞秒激光的脉宽为100 fs，脉冲频率为1kHz，压强为500torr±100torr。