[发明专利]一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种模块化阵列式高压LED芯片，其特征在于，由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；

各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。

2.根据权利要求1所述的模块化阵列式高压LED芯片，其特征在于，所述的单元模块为正方形或长方形结构。

3.根据权利要求1所述的模块化阵列式高压LED芯片，其特征在于，所述的单元模块中的LED微晶粒为长方形、正方形、三角形、菱形、六边形，或者上述形状的组合，且各LED微晶粒的面积相同。

4.根据权利要求1所述的模块化阵列式高压LED芯片，其特征在于，所述的互联引线的材料为铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、石墨烯和金属中的一种及其任意组合。

5.根据权利要求1所述的模块化阵列式高压LED芯片，其特征在于，所述单元模块包含独立的P型电极和N型电极；单元模块与单元模块之间通过P型和N型电极串联在一起。

6.一种制造模块化阵列式高压LED芯片的方法，包括如下步骤：

S1、在一个衬底上生长N型外延层、量子阱发光层、P型外延层，刻蚀出制作N电极的N型外延层的材料面和LED微晶粒间的绝缘隔离跑道后，分别在P型外延材料制作电流阻挡层、ITO透明导电层和金属电极；

S2、通过激光划片工艺沿所述隔离跑道进行切割，得到模块化阵列式高压LED芯片，其由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。

7.根据权利要求6所述的制造模块化阵列式高压LED芯片的方法，其特征在于，所述的单元模块为正方形或长方形结构。

8.根据权利要求6所述的制造模块化阵列式高压LED芯片的方法，其特征在于，所述的单元模块中的LED微晶粒为长方形、正方形、三角形、菱形、六边形，或者上述形状的组合，且各LED微晶粒的面积相同。

9.根据权利要求6所述的制造模块化阵列式高压LED芯片的方法，其特征在于，所述的互联引线的材料为铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、石墨烯和金属中的一种及其任意组合。

10.根据权利要求6所述的制造模块化阵列式高压LED芯片的方法，其特征在于，所述单元模块包含独立的P型电极和N型电极；单元模块与单元模块之间通过P型和N型电极串联在一起。