[发明专利]一种三相母排低压智能测控电路结构无效

专利信息
申请号: 201410035186.4 申请日: 2014-01-24
公开(公告)号: CN103762550A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 肖桂平 申请(专利权)人: 苏州融达兴电气有限公司
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04
代理公司: 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 代理人: 张一鸣
地址: 215104 江苏省苏州市苏州吴中经济*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 三相 低压 智能 测控 电路 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种三相母排低压智能测控电路结构,属于电子电力技术领域。

背景技术

目前低压智能测控电路主要完成馈线回路的电量测量、保护、控制、通讯功能,但未能对三相母排的温度进行有效的监视和测量,现有的智能测控装置由于没有三相母排温度的测量和监视,经常由于母排连接处的松动,导致母排连接处的接触电阻升高,从而进一步造成大电流流过时造成三相母排的温度急剧升高从而导致整改开关柜的烧毁;另外,目前为了解决上述问题,在开关柜内加装三相母排温度测量和监视产品,导致开关柜的成本升高,同时导致整个系统维护工作量增大。

发明内容

针对上述存在的技术问题,本发明的目的是:提出了一种起到温度检测和保护功能的三相母排低压智能测控电路结构。

本发明的技术解决方案是这样实现的:一种三相母排低压智能测控电路结构,包括基准模块、恒流源单元、放大电路单元、单片机;所述基准模块用于给三相母排低压智能测控电路结构供电;所述恒流源单元为三相母排低压智能测控电路结构提供恒定电流;所述放大电路单元为三相母排低压智能测控电路结构提供放大电流;所述单片机用于将三相母排低压智能测控电路结构的信号转化为三相母排温度信号值;所述基准模块与恒流源单元、放大电路单元、单片机相互连接;所述恒流源单元设有温度信号输入端。

优选的,所述基准模块为2.5v基准模块。

由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:

本发明的一种三相母排低压智能测控电路结构,通过基准模块、恒流源单元、放大电路单元、单片机,来检测三相母排的温度,同时通过单片机进行显示,同时通过预设母排允许的最高工作温度,电路结构在达到预设的母排允许最高温度后,跳开电流回路,达到保护母排和线路的目的。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:

附图1为本发明的一种三相母排低压智能测控电路结构的示意图;

附图2为本发明的一种三相母排低压智能测控电路结构的基准模块放大图;

附图3为本发明的一种三相母排低压智能测控电路结构的恒流源单元放大图;

附图4为本发明的一种三相母排低压智能测控电路结构的放大电路单元放大图;

附图5为本发明的一种三相母排低压智能测控电路结构的单片机放大图;

其中:1、基准模块;2、恒流源单元;3、放大电路单元;4、单片机。

具体实施方式

下面结合附图来说明本发明。

附图1-5为本发明所述的一种三相母排低压智能测控电路结构,包括基准模块1、恒流源单元2、放大电路单元3、单片机4;所述基准模块1用于给三相母排低压智能测控电路结构供电;所述恒流源单元2为三相母排低压智能测控电路结构提供恒定电流;所述放大电路单元3为三相母排低压智能测控电路结构提供放大电流;所述单片机4用于将三相母排低压智能测控电路结构的信号转化为三相母排温度信号值;所述基准模块1与恒流源单元2、放大电路单元3、单片机4相互连接;所述恒流源单元2设有温度信号输入端;所述基准模块1为2.5v基准模块。

三相母排低压智能测控电路结构使用时,单片机4通过内部MCU(中央微处理器)的AD采样模块,采集温度信号输入端三相母排温度的信号,然后通过计算得出三相母排温度信号值,单片机4人机接口主要完成三相母排温度的显示、母排超温温度的设定以及超温后的显示和指示,单片机4的DO输出主要通过MCU控制(DO输出的对象为继电器输出),当MCU检测到控制器内部温度超过人机接口设定的超温温度后,MCU将GPIO的口线置高,继电器动作,其中一路给开关柜内的开关设备一个脱扣信号,强行将开关从合位变位分位,让开关处于断开位置,从而达到断开开关柜内的大电流信号,另一路输出接指示灯或蜂鸣器作为报警用;单片机4通讯接口主要完成多台设备之间的数据互联,同时通过后台运行软件集中进行显示;由于在低压智能测控电路内增设了测量三相母排温度的电路,同时由于设定了母排的最高工作温度,可以有效避免母排由于连接送到导致的母排发热烧毁问题;而且三相母排温度保护在低压智能测控装置内部实现,大大降低了增加其他设备来实现的成本,同时降低了开关柜的运行维护成本。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。

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