[发明专利]一种金属层上含钽薄膜的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410035345.0 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104810241B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邱鹏;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 含钽薄膜 氯气 氯化硼 反应腔室 刻蚀气体 种金属层 反应离子刻蚀 机台 蚀刻 刻蚀金属层 电感耦合 方法使用 复合金属 接触不良 偏置功率 成品率 氮化钽 金属层 硅片 放入 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属层上含钽薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
步骤S1、将带有含钽薄膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；该电感耦合反应离子刻蚀机台的电感耦合包括两个功率控制单元，即源极功率控制单元和偏置功率控制单元；所述偏置功率控制单元的功率控制在30W；
步骤S2、向反应腔室中通入反应气体，包括20～50sccm Cl2、30～100sccm BCl3、10～30sccm N2、50～200sccm Ar；
步骤S3、将反应腔室压力控制在50mTorr ，温度控制在35℃；
步骤S4、用偏置功率控制单元的偏置功率30瓦对基片进行刻蚀，源极功率根据刻蚀速率的需要调整，功率和刻蚀速率成正比；
步骤S5、经过设定时间的刻蚀反应，得到含有少量副产品的成型基片，所述副产品主要为钽的聚合物，降低后续清洁的难度；
步骤S6、刻蚀后的清洗：清洁气体为氧气O2；步骤S6具体包括：
步骤S61、将干法刻蚀后的器件放入有各向同性刻蚀功能的腔室中；
步骤S62、向该腔室中通入清洁气体氧气O2；
步骤S63、控制所述腔室的温度在100℃，控制所述腔室的压力在1.5Torr；
步骤S64、用500瓦功率的等离子体对基片进行低能反应刻蚀，去除器件表面和侧壁的含有钽的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
