[发明专利]一种紫外探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器至少包括：

绝缘衬底；

位于该绝缘衬底上的下电极；

位于所述下电极上的紫外敏感薄膜；

位于所述紫外敏感薄膜上的图形化上电极；

位于所述图形化上电极上覆盖大部分上电极的石墨烯透明电极；所述石墨烯透明电极与所述紫外敏感薄膜接触。

2.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述图形化上电极为条状或环状或网格状。

3.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述图形化上电极的总面积小于所述紫外敏感薄膜面积的10%。

4.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述下电极为金属材料层或由ITO薄膜以及形成在该ITO薄膜上环绕所述紫外敏感薄膜的金属电极构成。

5.根据权利要求4所述的紫外探测器，其特征在于，所述金属电极为环状闭合图形。

6.一种紫外探测器制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

提供一绝缘衬底以及一石墨烯；

在所述绝缘衬底上形成下电极；

在所述下电极上沉积紫外敏感薄膜并图形化；

在所述紫外敏感薄膜上形成图形化上电极；

将所述石墨烯转移到所述图形化上电极上形成石墨烯透明电极；该石墨烯透明电极覆盖大部分上电极且与所述紫外敏感薄膜接触。

7.根据权利要求6所述的紫外探测器制作方法，其特征在于：所述下电极的材料为单金属或复合金属。

8.根据权利要求6所述的紫外探测器制作方法，其特征在于：所述下电极由ITO薄膜以及形成在该ITO薄膜上环绕所述紫外敏感薄膜的金属电极构成，其制备步骤如下：

在所述绝缘衬底上淀积ITO薄膜；

在该ITO薄膜上制备出所述紫外敏感薄膜并图形化；

接着沉积金属层并图形化，使得所述紫外敏感薄膜上形成上电极，所述ITO薄膜上形成环绕所述紫外敏感薄膜的金属电极。

9.根据权利要求8所述的紫外探测器制作方法，其特征在于：在所述紫外敏感薄膜上形成图形化上电极、在所述ITO薄膜上形成环绕所述紫外敏感薄膜的金属电极之前还包括制作一层金属粘附层的步骤。