[发明专利]一种用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法

权利要求书

1.一种用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤，

第一步，将主要原料α,ω－二羟基聚二甲基硅氧烷或α,ω-羟基聚(二甲基-甲基乙烯基)硅氧烷加入到反应釜中；

第二步，按照质量份，取5-35份甲基乙烯基MQ硅树脂或甲基MQ硅树脂投入到反应釜，开启搅拌20-60分钟，转速为40-120转/分钟，升温至50-130°C，升温速率为2°C/分钟；

第三步，待上述的材料混合均匀和温度稳定后，按照主要原料质量份的0.01-0.1%加入催化剂，恒温搅拌1-4小时，待反应物变成透明胶体后停止加热，继续搅拌至冷却室温，即得到目标产物的封装聚合物，即有机硅树脂材料。

2.根据权利要求1所述的用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法，其特征在于所述α,ω－二羟基聚二甲基硅氧烷或α,ω-羟基聚(二甲基-甲基乙烯基)硅氧烷中聚合度选取范围5-30。

3.根据权利要求1所述的用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法，其特征在于所述述甲基乙烯基MQ硅树脂或甲基MQ硅树脂中M/Q比值范围为0.6-0.9，其中，M是单官能度硅氧烷链节数，Q是四官能度硅氧烷缩聚链节数，在甲基乙烯基MQ硅树脂中乙烯基百分含量为2.0-4.0%。

4.根据权利要求1所述的用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法，其特征在于所述催化剂为三甲基硅醇钠或三甲基硅醇钾。