[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS）通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向（平行于基板）产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。

图1是目前的ADS模式液晶显示阵列基板的结构示意图，该阵列基板自下而上分别通过5次掩膜工艺来制作完成，依次是在玻璃基板10上制作公共电极13时的掩膜、制作栅极11和公共电极连接线12时的掩膜、制作有源层和源漏极的掩膜、和制作钝化层过孔的掩膜、制作像素电极14的掩膜。

目前，公共电极13和栅极11分别采用透明导电金属氧化物薄膜和金属材料，通过两次掩膜工艺来完成，工艺相对复杂，成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法，以简化阵列基板的制作工艺，并提高阵列基板的显示效果。

一种阵列基板，包括：

设置在同一层的栅极和公共电极，或者设置在同一层的源漏极和像素电极，其中，

栅极和公共电极设置在同一层时，所述公共电极与所述栅极使用同一材料制作，且所述公共电极的厚度小于所述栅极的厚度，所述公共电极形成有多个狭缝，所述公共电极的透过率大于30%；

源漏极和像素电极设置在同一层时，所述像素电极与所述源漏极使用同一材料制作，且所述像素电极的厚度小于所述源漏极的厚度，所述像素电极形成有多个狭缝，所述像素电极的透过率大于30%。

由于通过同一材料来制作栅极和公共电极，可以减小工艺难度，公共电极的厚度小于栅极的厚度，保证的公共电极的透过率，并且，可以进一步通过一次双色调掩膜制作同一层的栅极和公共电极，或通过一次双色调掩膜制作同一层的源漏极和像素电极，节省一次掩膜，降低了工艺复杂度和工艺成本。

进一步，栅极材料或源漏极材料具体为Al、Cu、Mo、AlNd、Cr、Ti、Ag的单层金属膜或者多层复合膜，或者具有金属/介质一维光子晶体结构的复合膜。

较佳的，为获得较好的透过率，所述栅极材料具体为Ag的单层金属膜，且

所述栅极的厚度为所述公共电极的厚度为

或者，为获得较好的透过率，所述栅极材料具体为包括ZnS、Ag、ZnS、Ag的复合膜，其中ZnS、Ag、ZnS、Ag沿着由基板指向复合膜的方向依次设置，且

所述栅极中ZnS、Ag、ZnS、Ag的厚度分别为所述公共电极中仅包括ZnS、Ag、ZnS层，厚度分别为

较佳的，所述公共电极或像素电极的厚度为透过率为30%～90%。

进一步，为减小公共电极和像素电极之间的存储电容，公共电极和像素电极均形成有多个狭缝，且公共电极的狭缝与像素电极的狭缝平行。

更进一步，为进一步公共电极和像素电极之间的存储电容，所述公共电极中的狭缝在基板上的投影，与像素电极中的狭缝在基板上的投影不重合。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

沉积源漏极材料；

利用双色调掩膜，在源漏极材料上形成图案化的光刻胶；

进行刻蚀形成源漏极图案后，通过灰化工艺对所述光刻胶进行减薄，露出像素电极区域的源漏极材料；

再次进行刻蚀，形成像素电极图案。

通过一次掩膜制作的源漏极和像素电极，节省了一次掩膜，简化了阵列基板的制作工艺。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在基板上沉积栅极材料；

利用双色调掩膜，在栅极材料上形成图案化的光刻胶；

进行刻蚀形成栅极图案后，通过灰化工艺对所述光刻胶进行减薄，露出公共电极区域的栅极材料；

再次进行刻蚀，形成公共电极图案。

由于通过一次掩膜制作了栅极和公共电极，节省了一次掩膜，简化了阵列基板的制作工艺。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。