[发明专利]镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法有效
| 申请号： | 201410036577.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103741194A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;郝建民;崔晓;陈永楠 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镁合金 表面 氧化 制备 余辉 发光 陶瓷膜 方法 | ||
1.一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、以水为溶剂配制电解液，每升电解液中含铝酸钠45g～55g，焦磷酸钠35g～45g，磷酸二氢钠40g～45g，氢氧化锶12g～15g，十二烷基硫酸钠18g～22g，搅拌均匀后将电解液置于电解槽中；
步骤二、将待处理的镁或镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极，不锈钢板作为阴极，控制电解液的温度为5℃～10℃，采用脉冲式微弧氧化电源，调节脉冲频率为300Hz～1000Hz，占空比为5%～45%，在电压为350V～550V的条件下恒压电解10min～40min，在镁或镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
2.按照权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法，其特征在于，步骤一中每升电解液中含铝酸钠48g～52g，焦磷酸钠38g～42g，磷酸二氢钠40g～42g，氢氧化锶13g～14g，十二烷基硫酸钠19g～20g。
3.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法，其特征在于，步骤二中所述脉冲频率为450Hz～500Hz。
4.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法，其特征在于，步骤二中所述占空比为10%～20%。
5.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法，其特征在于，步骤二中所述电压为450V～500V。
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