[发明专利]一种晶圆表面平坦化工艺有效
| 申请号： | 201410037579.9 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810277B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 平坦 化工 | ||
1.一种晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；
在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；所述旋涂玻璃层的厚度为
对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；
在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；
在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；所述光刻胶层的厚度为
对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；
去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯层和所述第二正硅酸乙酯层均采用等离子体辅助化学气相沉积法形成。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯层的厚度为所述第二正硅酸乙酯层的厚度为
4.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述烘烤的温度为200-400℃，烘烤的时间为30-90min。
5.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行离子注入，具体为：采用氩气或砷对形成旋涂玻璃层后的晶圆进行离子注入。
6.根据权利要求1或5所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述离子注入的能量为70-200KEV。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻，其具体为：
对所述光刻胶层进行完全刻蚀，并对所述第二正硅酸乙酯层进行部分刻蚀，其刻蚀后剩余的所述第二正硅酸乙酯层厚度为
8.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述去除回刻残留的光刻胶，具体为：采用等离子体法去除回刻残留的光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
