[发明专利]薄膜晶体管阵列面板在审
申请号: | 201410037715.4 | 申请日: | 2014-01-26 |
公开(公告)号: | CN103972240A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 朴廷敏;朴成均;李政洙;金智贤;田俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
技术领域
本发明的示范性实施例涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD具有两个显示面板以及插设在这两个面板之间的液晶层,诸如像素电极和公共电极的场产生电极形成在这两个显示面板上。电压施加到场产生电极以在液晶层中产生电场。液晶层中的液晶分子的排列由电场决定。因此,入射光的偏振被控制以在LCD中显示图像。在液晶层中产生电场的像素电极和公共电极可以形成在薄膜晶体管阵列面板上。
此外,在LCD中,可以形成焊盘部分以将驱动电路连接到LCD的场产生电极从而施加栅极电压和数据电压。如果LCD中的钝化层的厚度不正常地大,则暴露焊盘部分的接触孔的高度会很大,使得连接驱动电路和焊盘部分的连接构件可能断开。
连接构件可以形成在由接触孔暴露的焊盘部分上。在某些情况下,凸块也可以设置在连接构件和驱动电路之间以将驱动信号从驱动电路传输到焊盘部分。如果接触孔的高度增加,则难以使凸块接触接触孔中的连接构件和驱动电路。因此,驱动信号不能被正常地传输。
此外,随着LCD的分辨率增加,焊盘部分之间的间隔变得较窄,使得形成在接触孔上的连接构件之间的间隔也变窄。因此,当在用于形成连接构件的曝光工艺中部分地产生错误时,相邻的连接构件可能被连接,使得期望大小的驱动信号不能被传输到焊盘。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景技术的理解,因此它可能包含不形成本领域的普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
本发明的示范性实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法,其减小信号线的焊盘单元与连接构件之间的高度差以易于连接焊盘单元和连接构件,降低暴露焊盘的接触孔的高度以利用凸块接触驱动电路,并在高分辨率液晶显示器中防止形成在焊盘上的相邻连接构件之间的不必要的接触。
本发明的其它特征将在以下的描述中阐述,并将部分地从该描述而变得明显,或者可以通过本发明的实施而掌握。
本发明的示范性实施例公开了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板;栅极线和栅极焊盘,设置在基板上;栅极绝缘层,设置在栅极线和栅极焊盘上;数据线和数据焊盘,设置在栅极绝缘层上;第一钝化层,设置在数据线和数据焊盘上;有机层,设置在第一钝化层上;第一场产生电极,设置在有机层上;以及第二钝化层,设置在第一场产生电极上。有机层设置在包括栅极焊盘的第一区域中。有机层设置在包括数据焊盘的第二区域中。第二钝化层不设置在第一区域和第二区域中。
栅极绝缘层、第一钝化层和有机层可以具有暴露栅极焊盘的第一接触孔,并且薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在通过第一接触孔暴露的栅极焊盘上的第一连接构件。
薄膜晶体管阵列面板还可以包括设置在第二钝化层上的第二场产生电极,并且第一连接构件可以包括用与第一场产生电极相同的层形成的下层以及用与第二场产生电极相同的层形成的上层。
有机层可以具有与第一连接构件的下层重叠的第一部分以及不与第一连接构件的下层重叠的第二部分,并且有机层的第一部分的高度可以高于有机层的第二部分的高度。
第一场产生电极和第二场产生电极中的一个可以具有板状,并且另一个可以包括分支电极。
第一钝化层和有机层可以具有暴露数据焊盘的第二接触孔,并且薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在通过第二接触孔暴露的数据焊盘上的第二连接构件。
薄膜晶体管阵列面板还可以包括设置在第二钝化层上的第二场产生电极,并且第一连接构件可以包括用与第一场产生电极相同的层形成的下层以及用与第二场产生电极相同的层形成的上层。
有机层可以具有与第二连接构件的下层重叠的第三部分以及不与第二连接构件的下层重叠的第四部分,并且有机层的第三部分的高度可以高于有机层的第四部分的高度。
本发明的示范性实施例还公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括:在基板上形成栅极线和栅极焊盘;在栅极线和栅极焊盘上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成数据线和数据焊盘;在数据线和数据焊盘上形成第一钝化层;在第一钝化层上形成有机层;在有机层上形成第一场产生电极;以及在第一场产生电极上形成第二钝化层。形成第二钝化层包括在其中形成栅极焊盘的第一区域以及其中形成数据焊盘的第二区域中去除第二钝化层。形成有机层包括在第一区域和第二区域中形成有机层。
薄膜晶体管阵列面板的制造方法还可以包括:在栅极绝缘层、第一钝化层和有机层中形成暴露栅极焊盘的第一接触孔以及在通过第一接触孔暴露的栅极焊盘上形成第一连接构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的