[发明专利]一种DMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种DMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在硅衬底的外延层表面形成初始氧化层；

利用掩膜版对形成有所述初始氧化层的硅衬底进行光刻和刻蚀，在所述初始氧化层上形成有源区图形和位于所述有源区图形区域内的源极注入阻挡层；

在所述初始氧化层的有源区图形区域内形成栅极；

利用所述源极注入阻挡层和所述栅极作为掩膜在所述外延层内部形成源极扩散区和漏极扩散区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述初始氧化层的有源区图形区域内形成栅极，具体包括：

在形成有所述源区图形和所述源极注入阻挡层的硅衬底上形成栅极氧化层；

在所述栅极氧化层上形成多晶硅层；

对形成有所述多晶硅层的硅衬底进行光刻、刻蚀，在所述初始氧化层的有源区图形区域内形成栅极。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述初始氧化层之后，还包括：在所述外延层内部形成保护环。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述外延层内部形成保护环，具体包括：

对形成有所述初始氧化层的硅衬底进行光刻、刻蚀，在所述初始氧化层上形成保护环图形；

对形成有所述保护环图形的硅衬底注入离子，并在1100～1200℃下退火160～200分钟，在所述外延层内部形成保护环。

5.根据权利要求1至4中任一所述的制造方法，其特征在于，所述源极扩散区和漏极扩散区为N+区。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成所述形成源极扩散区和漏极扩散区之前，还包括：

向形成有所述源极注入阻挡层和所述栅极的硅衬底注入P型离子，并在1100～1200℃下退火100～200分钟，在所述外延层内部形成P-区。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述源极扩散区和漏极扩散区为N+区，则利用所述源极注入阻挡层和所述栅极作为掩膜在所述外延层内部形成源极扩散区和漏极扩散区，具体包括：

向形成有所述源极注入阻挡层和所述栅极的硅衬底注入N型离子，并在800～900℃下退火30～40分钟，在所述外延层内部形成源极扩散区和漏极扩散区。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成所述源极扩散区和漏极扩散区之后，还包括：

在形成有所述源极扩散区和漏极扩散区的硅衬底上形成介质层；

对形成有所述介质层的硅衬底进行光刻，对所述介质层的刻蚀速率是对所述外延层的刻蚀速率的15～20倍的条件下刻蚀所述介质层及其下方的源极注入阻挡层，在所述外延层上方的源极注入阻挡层位置形成接触孔。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在形成所述接触孔之后，还包括：

对形成有所述接触孔的硅衬底注入P型离子，并在800～900℃下退火30～40分钟，在所述外延层内部形成P+区。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成所述P+区之后，还包括：

在形成有所述P+区的硅衬底上形成金属层；以及

对形成有所述金属层的硅衬底进行光刻、刻蚀，在所述硅衬底上形成金属连线结构。