[发明专利]一种集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底上的第一组晶体管、位于所述第一半导体衬底的第一表面上且覆盖所述第一组晶体管的栅极的第一介电层、以及位于所述第一介电层内的与所述第一组晶体管的端极相连的第一组互连件；

第二半导体衬底、位于所述第二半导体衬底上的第二组晶体管、位于所述第二半导体衬底的第一表面且覆盖所述第二组晶体管的栅极的第二介电层，以及位于所述第二介电层内的与所述第二组晶体管的端极相连的第二组互连件；

位于所述第一半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面上的第三介电层，以及贯穿所述第三介电层并连接所述第一组互连件和所述第二组互连件的第三组互连件；

位于所述第三介电层之上的第四介电层、位于所述第四介电层内的由相互连接的电容和电感所组成的集成无源器件、以及位于所述第四介电层内的连接所述集成无源器件和所述第三组互连件中至少一者的第四组互连件；

其中，所述第一半导体衬底层叠于所述第二半导体衬底之上，并通过所述第一介电层与所述第二半导体衬底的形成有所述第二介电层的一侧接合在一起。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一组晶体管为半导体射频开关。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一组晶体管由一组前后串联、源漏共享的梳状金属氧化物半导体场效应开关晶体管组成。

4.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第二组晶体管包括与所述射频开关相匹配的逻辑控制电路所需的低压逻辑晶体管以及功率放大电路所需的高压高功率晶体管。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二组晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管，其包含至少一个横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在所述集成电路中，所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底在与所述集成无源器件垂直对应的区域内不含有任何半导体晶体管。

7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底的材料为单晶硅，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的材料为含硅介电质材料。

8.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括位于所述第一半导体衬底内的水平浅沟槽介电质，并且，所述第三组互连件的侧向被所述第三介电层、所述水平浅沟槽介电质、所述第一介电层和所述第二介电层分层环绕绝缘。

9.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一组晶体管为全耗尽场效应晶体管。

10.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第三组互连件的材料选自含硅半导体材料、钨、铜中的至少一种，和/或，所述第一组互连件与所述第二组互连件的材料包括钨。

11.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二半导体衬底为面阻值超过每平方微米100欧姆的高阻硅衬底。