[发明专利]LED封装方法有效
| 申请号： | 201410038275.4 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103855277B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 裴小明;曹宇星 | 申请（专利权）人： | 上海瑞丰光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 封装 方法 | ||
1.一种LED封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
于金属蚀刻片上蚀刻多条平行的蚀刻槽，所述蚀刻槽贯穿金属蚀刻片，其下部宽度大于上部宽度，所述金属蚀刻片的边缘完好；
将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述蚀刻槽上部的两旁；
于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化；
于所述金属蚀刻片下表面贴设胶带；
于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶，所述透明封装胶由胶带阻拦，使之填充于所述蚀刻槽，而后固化所述透明封装胶；
移除所述金属蚀刻片边缘及胶带，切割出各LED，所述蚀刻槽两旁的金属蚀刻片分别用作LED的正、负极；
在蚀刻所述蚀刻槽时，所述蚀刻槽上部的深度大于LED覆晶晶片正、负极间的最短距离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻所述蚀刻槽时，于固设所述覆晶晶片的区域周围蚀刻用以规范荧光胶的凹槽。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蚀刻槽上部的宽度等于LED覆晶晶片正、负极间的距离。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属蚀刻片的厚度为50～500μm。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述荧光胶的厚度为30～500μm。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述透明封装胶内掺杂有二氧化硅粉末。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，各LED上表面由所述透明封装胶成型为弧面。
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