[发明专利]一种LED晶片封装方法有效
申请号: | 201410038668.5 | 申请日: | 2014-01-26 |
公开(公告)号: | CN103855284B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 裴小明;曹宇星 | 申请(专利权)人: | 上海瑞丰光电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 晶片 封装 方法 | ||
1.一种LED晶片的封装方法,其特征在于,包括下述步骤:
将若干个覆晶晶片置于真空吸附装置上,通过对真空吸附装置进行抽真空将各所述覆晶晶片吸附固定;
向所述真空吸附装置上涂覆荧光胶,将各所述覆晶晶片覆盖;
将相邻的两所述覆晶晶片之间的荧光胶部分祛除,保留预定厚度的荧光胶,所述预定厚度的荧光胶的厚度小于所述覆晶晶片上方的荧光胶厚度,所述预定厚度的荧光胶的厚度为20微米;
向所述荧光胶表面涂覆透明封装胶,使所述透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域,并在所述荧光胶之上形成透明封装层,获得阵列式LED封装体;
将所述阵列式LED封装体从所述真空吸附装置上取下;
对各所述覆晶晶片的底部电极进行蒸镀金属扩展电极的操作;
在各所述覆晶晶片底部的正负电极之间及正负扩展电极之间填充防焊胶;
将所述阵列式LED封装体分割成多个LED封装单体。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,通过蒸镀金属扩展电极形成的扩展电极的厚度为0.05~3μm。
3.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述真空吸附装置具有一抽真空通道,自所述真空吸附装置的表面开有与所述抽真空通道连通的阵列式的抽真空孔位,所述覆晶晶片与所述抽真空孔位一一对应。
4.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述透明封装层为平面结构。
5.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述透明封装层为透镜阵列结构,所述透镜阵列结构的每个透镜与所述覆晶晶片一一对应。
6.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述荧光胶的正面与侧面以不小于90°的夹角相交。
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