[发明专利]基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410038850.0 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103779193A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 金刚石 衬底 氮化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1、提供金刚石衬底；
S2、在金刚石衬底上采用HVPE生长第一氮化物半导体层；
S3、在第一氮化物半导体层上采用MOCVD生长第二氮化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1后还包括：
S02、对金刚石衬底进行平整化处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S02具体为：
对金刚石衬底表面进行抛光处理。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S02具体为：
在金刚石衬底上生长石墨烯层。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S02具体为：
对金刚石衬底表面进行抛光处理；
在抛光后的金刚石衬底表面上生长石墨烯层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括：
对第一氮化物半导体层进行抛光处理。
7.根据权利要求3或5中任一项所述的方法，其特征在于，所述“抛光处理”包括化学抛光、机械抛光、化学机械抛光。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金刚石衬底为单晶结构或多晶结构。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金刚石衬底的制备方法为PVD或CVD。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氮化物半导体层和/或第二氮化物半导体层为GaN、AlGaN、AlN、InN、AlInGaN中的一种或多种的组合。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氮化物半导体层和/或第二氮化物半导体层为掺杂层或非掺杂层。
12.一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件，其特征在于，所述氮化物半导体器件采用权利要求1中方法制备得到。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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