[发明专利]非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410039160.7 申请日: 2014-01-26
公开(公告)号: CN103880409A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 杜丕一;肖彬;王君从;马宁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C04B35/30 分类号: C04B35/30;C04B35/622;C04B35/624;C04B35/64
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: bto 致密 包裹 nzfo 晶相高介高磁复相 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷,其特征在于:该复相陶瓷的组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O,0.7≤x≤0.9,以NZFO晶相为主相,BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间,实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离,形成了一个由BTO非晶相均匀包裹NZFO晶粒的铁电/铁磁两相复合陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷,其特征在于,所述复相陶瓷具有一种由原位形成的BTO非晶相致密包裹NZFO晶粒的显微结构,是一种高致密度的渗流型铁电/铁磁两相复合陶瓷。

3.根据权利要求1所述的一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:

1)先用溶胶-凝胶法原位制备(1- x)BTO/ x NZFO复合前驱体,其中0.7≤x≤0.9,然后将前驱体置于马弗炉中于250℃~300℃保温1~3小时,再升温至350℃~450℃进一步保温1~3小时,再在马弗炉中650℃~950℃预烧结1~3小时,得到均匀复合的BTO/NZFO两相复合粉体;

2)将两相复合粉体加入5 wt. %的PVA,采用单向加压法成型,然后在1250℃~1310℃进行致密化烧结,保温时间控制在12~24小时,随后以5~10℃/min升温速度,升温 1~10分钟,将烧结温度提高至1320℃~1350℃,之后保温5~10分钟,得到以体积含量10%~30%的BTO相为液态,以体积含量70%~90%的NZFO相为晶相组成的复相陶瓷,其中液相填满体系中的孔洞和NZFO相的晶粒之间; 

3)将上述复相陶瓷从马弗炉中取出,并直接于空气中经10~15秒,从1325℃~1350℃冷却至常温,最终得到保留有BTO非晶相的复相陶瓷,BTO非晶相致密包裹NZFO晶粒。

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