[发明专利]二极管、三极管的后端检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子产品封装测试领域，特别是二极管、三极管的后端检测方法。

背景技术

原有的二极管、三极管检测，只是对二极管、三极管的相关参数进行检测，比如检测二极管、三极管的正向电压、正向直流电流、最大流通电流等，这些参数只是二极管使用的参数，检测后的效果以及检测的意义不大。若生产后有残次品，使用这套相关参数检测的方法是无法对二极管、三极管的合格率作出判定的。而若仅通过这么一套检测程序后，就让产品发放到销售商，这样的产品不合格率十分高。

现有的二极管、三极管产品，若要提高其性能，还需要对其做出潜在危险检测，比如反向击穿检测、大饱和电流检测等，经过这些检测的产品其性能更好，在非常规使用环境下也不易损坏。但这种检测仅是零星的检测，没有规律和系统，根本无法适应大规模生产。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种二极管、三极管的后端检测方法，分为两个测试步骤，测试的准确率增高，测试参数多，检测范围大，设有潜在危险测试，对产品的反向击穿、大饱和电流、大电流开启测试以及大电流增益进行测试，增加了产品在潜在危险状态工作的正常率，测试后的产品性能更优，更能排除潜藏的残次品。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：二极管、三极管的后端检测方法，它主要用于二极管、三极管封装测试，保证测试流程的一致性，它包括一窗测试和二窗测试，其中，所述的一窗测试包括以下步骤：

S11：将待测产品送入一窗测试座内；

S12：待测产品在一窗测试座内进行潜在危险测试，潜在危险测试包括反向击穿测试、大电流增益测试、大饱和电流测试和大电流开启测试；

S13：待测产品在一窗测试座内进行无危险的测试，无危险测试包括基本参数初测和QA测试，无危险测试优化大量的测试时间；

S14：待测产品在一窗测试座内进行关键测试；

所述的二窗测试包括以下步骤：

S21：待测产品在二窗测试座内实现无危险测试，无危险测试包括基本参数初测和QA测试，无危险测试优化大量测试时间；

S22：测试产品在二窗测试座内实现关键测试；

S23：二窗测试完毕后，将测试产品送出二窗测试座。

所述的关键测试包括对以下几个参数的测试：

A：正向电压；

B：电流放大倍数；

C：漏电流；

D：正向直流电流；

E：最大流通电流。

本发明具有以下几个优点：

1、分为一窗测试和二窗测试两个测试流程，测试的准确率增高，测试参数多，检测范围大；

2、设有潜在危险测试，对产品的反向击穿、大饱和电流、大电流开启测试以及大电流增益进行测试，增加了产品在潜在危险状态工作的正常率；

3、设有关键测试部分，对产品的正向电压、漏电流、正向直流电流、最大流通电流以及电流放大倍数等参数进行检测，产品性能更优，适应性更好；

4、分为多测试，使二极管、三极管的测试一致性更好，测试后的产品性能更优，排除潜藏的残次品。

附图说明

图1为本发明的方法步骤流程图。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，二极管、三极管的后端检测方法，它主要用于二极管、三极管封装测试，保证测试流程的一致性，它包括一窗测试和二窗测试，其中，所述的一窗测试包括以下步骤：

S11：将待测产品送入一窗测试座内；

S12：待测产品在一窗测试座内进行潜在危险测试，潜在危险测试包括反向击穿测试、大电流增益测试、大饱和电流测试和大电流开启测试；

S13：待测产品在一窗测试座内进行无危险的测试，无危险测试包括基本参数初测和QA测试，无危险测试优化大量的测试时间，所述的QA测试为质量测试，一窗测试主要是针对产品的功能测试和质量测试；

S14：待测产品在一窗测试座内进行关键测试；

所述的二窗测试包括以下步骤：

S21：待测产品在二窗测试座内实现无危险测试，无危险测试包括基本参数初测和QA测试，无危险测试优化大量测试时间，所述的QA测试为质量测试；

S22：测试产品在二窗测试座内实现关键测试；

S23：二窗测试完毕后，将测试产品送出二窗测试座。

所述的关键测试包括对以下几个参数的测试：

A：正向电压；

B：电流放大倍数；

C：漏电流；