[发明专利]磁控溅射制备导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410039632.9 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103774110B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑芳平;张迅;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 制备 导电 薄膜 方法 | ||
1.一种磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，将所述基板放入磁控溅射腔室中；
提供阴极和靶材，将所述阴极和靶材放入所述磁控溅射腔室中；以及
在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述电源包括并联设置的直流电源和射频电源。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述阴极为平面阴极。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述靶材与基板的距离为70mm～110mm。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，溅射电压为160V～200V。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，功率密度为0.5W/CM2～2W/CM2。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述基板的运行速度为0.4m/min～1.2m/min。
8.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，靶面磁场强度为280GS～300GS。
9.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，工作压强为0.2Pa～0.5Pa。
10.根据权利要求1所述的磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，工艺气体的流量为80sccm～300sccm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西沃格光电股份有限公司，未经江西沃格光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410039632.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
