[发明专利]基板的背面的研磨方法及基板处理装置

说明书

一种研磨方法，用基板保持部(17、42)对基板(W)进行保持，一边使基板(W)旋转，一边使研磨件(22、44)与基板(W)的整个背面滑动接触，由此研磨整个背面。背面研磨工序包括：一边用基板保持部(17)对基板(W)的中心侧区域进行保持，一边对背面的外周侧区域进行研磨；一边用第2基板保持部(42)对基板(W)的伞形部进行保持，一边对背面的中心侧区域进行研磨。采用本发明，能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质。

技术领域

本发明涉及一种对晶片等基板的背面进行研磨的研磨方法。另外，本发明涉及一种对基板的背面进行研磨的基板处理装置。

背景技术

近年来，存储电路、逻辑电路和图像传感器(例如CMOS传感器)等的器件不断高集成化。在形成这些器件的工序中，有时微粒或尘埃等杂质附着在器件上。附着在器件上的杂质，会引起配线间的短路或电路不良情况。因此，为了提高器件的可靠性，必须对形成器件的晶片进行清洗，去除晶片上的杂质。

对于晶片的背面(裸硅面)，有时也附着上述那样的微粒和粉尘等杂质。若这种杂质附着在晶片的背面上，则晶片就会离开曝光装置的载物台基准面，或晶片表面相对于载物台基准面而倾斜，结果，就产生布线图案的错位或焦距的错位。为了防止这种问题，必须去除附着在晶片背面上的杂质。

专利文献1：日本专利特开2001-345298号公报

专利文献2：日本专利特开2010-130022号公报

发明所要解决的课题

在以往的技术中，一边使晶片旋转，一边用笔型的刷子或辊形海绵对晶片进行摩擦清洗。但是，在这种清洗技术中，杂质的去除率差，尤其难以去除杂质上堆积有膜的状态的杂质。另外，在以往的清洗技术中，难以在晶片的整个背面去除杂质。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而做成的，其目的在于，提供一种能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质的方法及装置。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明的一形态是研磨方法，其特点是，一边对基板的背面的中心侧区域进行保持，一边使第1研磨件与所述背面的外周侧区域滑动接触，一边对所述基板的伞形部进行保持，一边使第2研磨件与所述背面的所述中心侧区域滑动接触，由此对整个所述背面进行研磨，所述第2研磨件绕与所述背面垂直的旋转轴的轴心旋转。

本发明优选的形态的特点是，进行使所述第1研磨件与所述外周侧区域滑动接触的工序，然后进行使所述第2研磨件与所述中心侧区域滑动接触的工序。

本发明优选的形态的特点是，一边对所述基板的背面的中心侧区域进行保持、并将纯水供给到所述基板的背面，一边使所述第1研磨件与所述背面的所述外周侧区域滑动接触，一边对所述基板的伞形部进行保持、并将纯水供给到所述基板的背面，一边使所述第2研磨件与所述背面的所述中心侧区域滑动接触。

本发明的另一形态是基板处理装置，其特点是，具有：第1背面研磨单元，该第1背面研磨单元一边对基板的背面的中心侧区域进行保持，一边使第1研磨件与所述背面的外周侧区域滑动接触从而对该外周侧区域进行研磨；第2背面研磨单元，该第2背面研磨单元一边对所述基板的伞形部进行保持，一边使第2研磨件与所述背面的所述中心侧区域滑动接触从而对该中心侧区域进行研磨，所述第2研磨件绕与所述背面垂直的旋转轴的轴心旋转；以及输送机械手，该输送机械手在所述第1背面研磨单元与所述第2背面研磨单元之间输送所述基板。

本发明优选的形态的特点是，在所述第1背面研磨单元对所述外周侧区域进行研磨后，所述第2背面研磨单元对所述中心侧区域进行研磨。

本发明优选的形态的特点是，所述输送机械手构成为，使由所述第1背面研磨单元研磨后的所述基板翻转并将所述基板输送到所述第2背面研磨单元。

发明的效果