[发明专利]分路开关

说明书

技术领域

本发明涉及分路开关（shunt switch）。

背景技术

分路开关通过将多个FET串联连接而构成，例如连接在高频信号节点与接地节点之间。当分路开关导通时，高频信号节点强制性地与接地节点成为同电位。

在这样的分路开关中，需要尽量使分路开关导通时的畸变（以下，导通畸变）和断开时的畸变（以下，断开畸变）小。通常，导通畸变和断开畸变处于制约平衡（trade off）的关系。在想要降低导通畸变时，减少分路开关内的FET的串联连接级数是有效的，但在减少级数时断开畸变会增加。

发明内容

在本实施方式中，提供一种能够不使断开畸变增大而减少导通畸变的分路开关。

根据本实施方式，提供一种分路开关，具有：开关部，其设置在被施加交流信号的第1节点与被设定为基准电位的第2节点之间；和畸变补偿部，其设置在所述第1节点与所述第2节点之间，所述开关部具有串联连接在所述第1节点与所述第2节点之间的多个第1开关元件，所述畸变补偿部具备：多个第2开关元件，其串联连接在所述第1节点与所述第2节点之间；畸变生成部，其与所述多个第2开关元件串联连接，生成畸变；以及畸变切换部，其与所述畸变生成部并联连接。

附图说明

图1是第1实施方式的分路开关1的电路图。

图2是开关部2为导通状态时的分路开关1的等价电路图。

图3的（a）是表示将两个二极管反向并联连接时的电压-电流特性的曲线图，图3的（b）是表示第1开关元件T11～T1n和第2开关元件T21～T2n的V-I特性的曲线图。

图4是表示图1的分路开关1和仅包括开关部2的一比较例涉及的分路开关1的3次谐波畸变特性的模拟（仿真）结果的曲线图。

图5是开关部2为断开状态时的分路开关1的等价电路图。

图6是第2实施方式的分路开关1的电路图。

图7是第3实施方式的分路开关1的电路图。

图8是第4实施方式的分路开关1的电路图。

图9是第5实施方式的分路开关1的电路图。

图10的（a）是表示将体（body）与漏连接后的MOSFET6的图，图10的（b）是表示将体与源连接后的MOSFET7的图。

图11是第6实施方式的分路开关1的电路图。

图12是表示构成第1开关元件T11～T1n和第2开关元件T21～T2n的MOSFET8的一例的图。

图13是表示图12的一变形例的MOSFET9的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

（第1实施方式）

图1是第1实施方式的分路开关1的电路图。图1的分路开关1具备：开关部2，其设置在被供给高频信号的高频信号节点RF（第1节点）与接地节点（第2节点）之间；和畸变补偿部3，其同样设置在高频信号节点RF与接地节点之间。

开关部2串联连接在高频信号节点RF与接地节点之间，具有根据控制信号使全部切换为导通或者使全部切换为断开的多个第1开关元件T11～T1n。此外，在本说明书中，所谓“串联连接”，包括将相邻的两个电路元件串联连接而不在其之间夹有任何元件的情况、和在两个电路元件之间夹有其他电路元件而串联连接的情况这双方。

畸变补偿部3进行动作以减少开关部2为导通状态时的高频信号节点RF的畸变（导通畸变，导通失真），并且在开关部2为断开状态时进行动作以使高频信号节点RF的畸变（断开畸变）不增大。即，在开关部2为断开状态时，使得接近畸变补偿部3从高频信号节点RF等价性（等效性）断开的状态，通过畸变补偿部3的影响使高频信号节点RF的断开畸变不增加。即，在开关部2为断开状态时，使得：能够得到与畸变补偿部3不与高频信号节点RF连接的情况同样的畸变特性。

畸变补偿部3具有多个第2开关元件T21～T2n、畸变生成部4和畸变切换部5。

多个第2开关元件T21～T2n串联连接在高频信号节点RF与接地节点之间，根据控制信号，配合多个第1开关元件T11～T1n而全部切换为导通或者全部切换为断开。

畸变生成部4与多个第2开关元件T21～T2n串联连接，生成畸变。更具体而言，畸变生成部4在多个第1开关元件T11～T1n和多个第2开关元件T21～T2n导通时生成用于抵消在开关部2产生的导通畸变的新的畸变。即，畸变生成部4在多个第1开关元件T11～T1n和多个第2开关元件T21～T2n导通时对这些开关元件的电流电压特性的非线性进行改善。