[发明专利]一种高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料，其特征在于：包括摩尔比为12:12:24:2x:2x:3x:3的SrO、BaO、Nb₂O₅、CaO、SiO₂、B₂O₃以及BaF₂，且x=5～8。

2.一种高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料，其特征在于：该铌酸锶钡玻璃陶瓷材料是由摩尔比为12:12:24:2x:2x:6x:3的SrCO₃，BaCO₃，Nb₂O₅，CaCO₃，SiO₂，H₃BO₃以及BaF₂经熔融、成型、退火及晶化处理制得的。

3.一种高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将SrCO₃，BaCO₃，Nb₂O₅，CaCO₃，SiO₂，H₃BO₃以及BaF₂按照12SrO-12BaO-24Nb₂O₃-2xCaO-2xSiO₂-3xB₂O₃-3BaF₂摩尔比混合均匀，得到混合物；其中，x=5～8；

2）将坩埚随炉加热至1100℃，开始加入混合物，然后继续加热至1300-1400℃，在1300-1400℃下保温使混合物熔融均匀，得到混合熔融料；将混合熔融料在模具上成型，再放入炉中于600-800℃下退火，得到退火后玻璃；

3）退火后玻璃在其晶化温度下保温进行晶化处理，得到铌酸锶钡玻璃陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中x=5、6、7或8。

5.根据权利要求3所述的高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤3）中的晶化温度是将退火后玻璃经DTA差热分析测试确定的。

6.根据权利要求5所述的高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料的制备方法，其特征在于：当x=5时，退火后玻璃的晶化温度为1035℃；当x=6时，退火后玻璃的晶化温度为973℃；当x=7时，退火后玻璃的晶化温度为935℃；当x=8时，退火后玻璃的晶化温度为875℃。

7.根据权利要求3所述的高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤3）中晶化处理时间为3-6h。

8.根据权利要求3所述的高介电常数高击穿场强的铌酸锶钡玻璃陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中的退火时间为4-7h。