[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410040684.8 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104810280A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;文燕;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
对半导体器件的衬底采用前段工艺，其中，所述前段工艺是制造半导体器件需要对衬底采用的工艺的集合；
对经前段工艺处理的衬底采用第一次氢气退火工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在经第一次氢气退火工艺处理的衬底上形成金属层，其中，金属层包括金属互连结构和金属互连结构之外的氧化硅；
对包括金属层的衬底采用第二次氢气退火工艺。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在经第二次氢气退火工艺处理的包括金属层的衬底上形成钝化层；
对包括钝化层和金属层的衬底采用第三次氢气退火工艺。
4.根据权利要求1或2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一次氢气退火工艺的工艺温度是200～700摄氏度，所述第一次氢气退火工艺的气体是氢气或氢气和与其不反应的惰性气体的混合气体。
5.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，第二次氢气退火工艺的工艺温度是200～475摄氏度，第二次氢气退火工艺的气体是氢气或氢气和与其不反应的惰性气体的混合气体。
6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，第三次氢气退火工艺的工艺温度是200～475摄氏度，第三次氢气退火工艺的气体是氢气或氢气和与其不反应的惰性气体的混合气体。
7.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层包括一层金属互连结构，金属互连结构内通过氧化硅绝缘。
8.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层包括多层金属互连结构，相邻层的金属互连结构之间通过氧化硅绝缘，同层的金属互连结构内通过氧化硅绝缘。
9.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述钝化层是包括氧化硅膜层和氮化硅膜层的叠加层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述前段工艺包括但不限于在衬底上定义工作区和场区的工艺，制作N型掺杂区、P型掺杂区和接触孔的工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
