[发明专利]一种稳压器及稳压的方法

权利要求书

1.一种稳压器电路，包括：

第一放大器，包括正输入、负输入和输出，其中所述第一放大器的输出连接至所述负输入；

偏置单元，所述偏置单元被配置为利用CMOS晶体管产生参考电压，其中所述第一放大器的所述正输入被配置为接收所述参考电压；

所述偏置单元被配置成产生第一偏置电流，所述第一偏置电流流过所述CMOS晶体管，使得所述CMOS晶体管的跨导保持恒定，所述参考电压基于所述第一偏置电流产生；

其中所述偏置单元还被配置成产生追踪所述CMOS晶体管的阈值电压的第二偏置电流，所述参考电压基于所述第二偏置电流产生；

所述第一偏置电流与所述第二偏置电流之间的比率可调。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述CMOS晶体管包括NMOS晶体管、其中所述偏置单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第一电阻，其中

所述第一、第二和第三PMOS晶体管的源极连接至电源；

所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极都连接至所述第一NMOS晶体管的漏极；

所述第二PMOS晶体管的栅极连接至所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第三PMOS晶体管的栅极；

所述第二PMOS晶体管的漏极连接至所述第一NMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的漏极；

所述第三PMOS晶体管的漏极连接至所述第二NMOS晶体管的栅极和所述第一电阻；

所述第一电阻连接至所述第三NMOS晶体管的栅极和漏极；以及

所述第一、第二、第三NMOS晶体管的源极接地；其中所述第三PMOS晶体管的所述漏极被配置为输出所述第一偏置电流。

3.如权利要求1所述的电路，其中所述CMOS晶体管包括NMOS晶体管、其中所述偏置单元包括第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第二电阻，其中

所述第四、第五和第六PMOS晶体管的源极连接至电源；

所述第四PMOS晶体管的栅极和漏极都连接至所述第四NMOS晶体管的漏极；

所述第五PMOS晶体管的栅极连接至所述第四PMOS晶体管的栅极和所述第六PMOS晶体管的栅极；

所述第五PMOS晶体管的漏极连接至所述第四NMOS晶体管的栅极和所述第五NMOS晶体管的漏极；

所述第六PMOS晶体管的漏极连接至所述第五NMOS晶体管的栅极和所述第二电阻；以及

所述第四、第五NMOS晶体管的源极接地；其中所述第六PMOS晶体管的所述漏极被配置为输出所述第二偏置电流。

4.如权利要求1所述的电路，其中所述CMOS晶体管包括PMOS晶体管、其中所述偏置单元包括第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管和第三电阻，其中

所述第六、第七和第八NMOS晶体管的源极接地；

所述第六NMOS晶体管的栅极和漏极都连接至所述第七PMOS晶体管的漏极和所述第七NMOS晶体管的栅极；

所述第七NMOS晶体管的所述栅极连接至所述第八NMOS晶体管的栅极；

所述第七NMOS晶体管的漏极连接至所述第七PMOS晶体管的栅极和所述第八PMOS晶体管的漏极；

所述第八NMOS晶体管的漏极连接至所述第八PMOS晶体管的栅极和所述第三电阻；且

所述第七、第八PMOS晶体管的源极连接至电源；其中所述第八NMOS晶体管的所述漏极被配置为输出所述第二偏置电流。