[发明专利]电容器结构

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

基板；

第一栅极绝缘膜，在所述基板上；

第一栅极图案，在所述第一栅极绝缘膜上；

指形的第一电极，在所述第一栅极图案上；以及

指形的第二电极，在所述第一栅极图案上并与所述第一电极交替地设置以在水平方向上与所述第一电极间隔开，

其中所述第一电极连接到所述第一栅极图案，并且其中所述第二电极和所述第一栅极图案彼此绝缘。

2.如权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一电极和所述第二电极还包括两个或更多层叠的布线层以及连接所述布线层的通路。

3.如权利要求1所述的电容器结构，还包括在所述基板中位于所述第一栅极图案的两侧的第一导电类型的第一杂质区域，

其中所述第二电极连接到所述第一杂质区域。

4.如权利要求1所述的电容器结构，还包括在所述基板中的第一导电类型阱和在所述阱中位于所述第一栅极图案两侧的第一导电类型的第一杂质区域，

其中所述第二电极连接到所述第一杂质区域。

5.如权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一栅极绝缘膜包括SiON、钽氧化物、钛氧化物、铪氧化物、镧氧化物和铝氧化物中的至少一种。

6.如权利要求1所述的电容器结构，还包括在所述基板上的第二栅极绝缘膜以及在所述第二栅极绝缘膜和所述第一栅极绝缘膜之间的第二栅极图案。

7.如权利要求6所述的电容器结构，其中所述第二电极连接到所述第二栅极图案。

8.如权利要求6所述的电容器结构，其中所述第一栅极绝缘膜包括氧化物-氮化物-氧化物绝缘膜，所述第二栅极绝缘膜包括SiON、钽氧化物、钛氧化物、铪氧化物、镧氧化物和铝氧化物中的至少一种。

9.如权利要求1所述的电容器结构，其中第一电压被施加到所述第一电极，第二电压被施加到所述第二电极。

10.一种电容器结构，包括：

基板；

第一栅极绝缘膜，在所述基板上；

第一栅极图案，在所述第一栅极绝缘膜上；

层间绝缘层，覆盖所述基板、所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅极图案；

指形的第一电极，在所述层间绝缘层上；

指形的第二电极，在所述层间绝缘层上并与所述第一电极交替地设置以在水平方向上与所述第一电极间隔开；以及

第一接触，穿过所述层间绝缘层并将所述第一电极和所述第一栅极图案彼此连接。

11.如权利要求10所述的电容器结构，其中所述第一电极和所述第二电极还包括两个或更多层叠的布线层以及连接所述布线层的通路。

12.如权利要求10所述的电容器结构，还包括在所述基板中位于所述第一栅极图案两侧的第一导电类型的第一杂质区域，

其中所述第二电极连接到所述第一杂质区域。

13.如权利要求10所述的电容器结构，还包括在所述基板中的第一导电类型的阱和在所述阱中位于所述第一栅极图案两侧的第一导电类型的第一杂质区域，

其中所述第二电极连接到所述第一杂质区域。

14.如权利要求10所述的电容器结构，还包括在所述基板上的第二栅极绝缘膜以及在所述第二栅极绝缘膜和所述第一栅极绝缘膜之间的第二栅极图案，

其中所述层间绝缘层覆盖所述基板、所述第一栅极绝缘膜、所述第一栅极图案、所述第二栅极绝缘膜和所述第二栅极图案。

15.如权利要求14所述的电容器结构，还包括第二接触，所述第二接触穿过所述层间绝缘层并将所述第二电极和所述第二栅极图案彼此连接。