[发明专利]辐射监测器以及通过辐射监测器的静电计测量电流的方法

说明书

本发明公开一种包括电离室的辐射监测器，所述电离室用于检测进入到所述电离室中的辐射。所述电离室响应于检测到的辐射而产生电流。静电计电连接到所述电离室，以用于测量由所述电离室产生的电流。所述静电计可基于所述电离室产生的所述电流的大小而以多种模式工作。本发明还提供一种通过辐射监测器的静电计测量电流的方法。

技术领域

本发明总体上涉及辐射监测器，且更具体来说涉及一种包括静电计的辐射监测器，所述静电计在一定温度范围内表现出相对低的泄漏。

背景技术

辐射监测器通常部署在接近已知辐射源(如核能发电站)的位置中，以便监测辐射水平。响应于检测到辐射，辐射监测器将产生与检测到的辐射的量成比例的电流。辐射监测器通常使用静电计来将这个相对低的电流转换成电压信号以用于处理。

作为静电计安排的一部分，开关用来提供使相关电容器复位(即，放电)的能力。有可能使用电子开关，如场效应晶体管(FET)开关装置。可使用一些特定的FET装置，如MOSFET和JFET。另外，有可能使用机电开关，如簧片继电器装置。

FET装置可能容易受到电流泄漏的影响。电流泄漏的量可随温度变化而变化。确切地说，升高的温度将导致更大量的泄漏。例如，温度每增加10摄氏度，泄漏的量就有可能增加一倍。这样，在相对宽的温度范围内，FET可具有显著变化量的电流泄漏。而且，这种电流泄漏可在低至35摄氏度的温度下开始。电流泄漏可能成问题，因为它们会对辐射检测的准确度造成不利影响。

为努力避免电流泄漏的问题，可使用机电开关，如簧片继电器装置。然而，这些簧片继电器装置在尺寸上是相当笨重/大的并且具有缓慢的切换速度。

有关基于温度的泄漏变化和/或笨重/缓慢的问题在静电计安排的某些使用中可能不足以成问题。然而，存在其中这些问题将成问题的一些情况。辐射监测器内的静电计将是这种情况。辐射监测器可能暴露于可上升到50至60摄氏度的环境温度。因此，有利的是提供具有在宽的温度范围内表现出相对低的泄漏率且没有笨重簧片继电器装置的静电计的辐射监测器。

发明内容

下文是本发明的简要概述，用于提供本发明一些示例性方面的基本理解。本概述并不是本发明的广泛综述。此外，本概述并不用于确定本发明的关键要素，也不限定本发明的范围。本概述的唯一目的在于简要地提出本发明的一些概念，以便引出下文的更详细说明。

根据一个方面，辐射监测器包括电离室，其用于检测进入到所述电离室中的辐射。电离室响应于检测到的辐射而产生电流。静电计电连接到电离室上，以用于测量由所述电离室产生的电流，其中所述静电计经配置可基于由所述电离室产生的电流的大小而以多种模式工作。

根据另一个方面，辐射监测器包括电离室，其用于检测进入到所述电离室中的辐射。电离室响应于检测到的辐射而产生电流。静电计电连接到电离室上，以用于测量所述电离室的电流。静电计经配置可响应于处于第一范围内的所测量电流以第一模式工作和响应于处于大于所述第一范围的第二范围内的所测量电流以第二模式工作。第一模式和第二模式下的电流泄漏被最小化。

根据另一个方面，提供了一种通过辐射监测器的静电计来测量电流的方法。所述方法包括以下步骤：提供用于检测辐射的电离室，所述电离室响应于检测到的辐射而产生电流。所述方法包括以下步骤：提供电连接到电离室以用于测量所述电离室的电流的静电计。所述方法进一步包括以下步骤：响应于处于第一范围内的所测量电流以第一模式操作静电计。所述方法还包括以下步骤：响应于处于第二范围内的所测量电流以第二模式操作静电计。

附图说明

通过参考附图阅读以下说明，本发明所涉及领域的技术人员将易于了解本发明的上述以及其他方面，在附图中：

图1是包括静电计的示例性辐射监测器的高度示意性框图表示；

图2是包括处于复位模式的静电计的示例性辐射监测器的电路示意图；