[发明专利]复合微机电系统芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种复合微机电系统芯片制作方法，其步骤包含：

制作一覆盖晶圆，其步骤包括：

提供一第一基板；

对该第一基板的一第一区域及一第二区域同时蚀刻，以分别在该第一区域形成多个第一蚀刻槽以及在该第二区域形成多个第二蚀刻槽，其中每一第一蚀刻槽及每一第二蚀刻槽具有相同的一蚀刻深度，该第一区域的一第一蚀刻式样密度高于该第二区域的一第二蚀刻式样密度；

制作一组件晶圆，包括一第二基板及在该第二基板上的一第一MEMS组件及一第二MEMS组件；以及

将该覆盖晶圆与该组件晶圆结合，藉此在该覆盖晶圆与该组件晶圆之间，对应于该第一区域与该第二区域之处，分别形成一第一腔室与一第二腔室，其中该第一腔室容纳该第一MEMS组件且该第二腔室容纳该第二MEMS组件。

2.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中该第一腔室的压力低于第二腔室。

3.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中该第一区域的一第一顶视面积相同于或不同于该第二区域的一第二顶视面积。

4.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中该第一蚀刻槽之一的一第一顶视面积相同于或不同于该第二蚀刻槽之一的一第二顶视面积。

5.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中制作该覆盖晶圆的步骤还包含：

在该第一蚀刻槽上沉积一吸气材料或一释气材料。

6.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中制作该覆盖晶圆的步骤还包含：

在该第二蚀刻槽上沉积一吸气材料或一释气材料。

7.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中制作该组件晶圆的步骤包括：

提供该第二基板；

在该第二基板上形成该第一MEMS组件及该第二MEMS组件、与围绕该第一MEMS组件及该第二MEMS组件的一牺牲层；

在该第一MEMS组件、该第二MEMS组件、及该牺牲层上方形成一硬屏蔽；

定义该硬屏蔽的图案；以及

经由该硬屏蔽的图案，蚀刻去除该牺牲层。

8.如权利要求1所述的复合微机电系统芯片制作方法，其中制作该组件晶圆的步骤包括：

提供一CMOS（互补金氧半）晶圆，该CMOS晶圆包括该第二基板与该第二基板上的一微电子电路；

提供一MEMS晶圆，该MEMS晶圆包括该第一MEMS组件及该第二MEMS组件；以及

将该CMOS晶圆与该MEMS晶圆结合。

9.如权利要求8所述的复合微机电系统芯片制作方法，还包括：在该第二基板与该MEMS晶圆之间提供导电栓。

10.一种复合微机电系统芯片，包含：

一覆盖层，其包括一第一基板位，其中该第一基板具有一第一区域及一第二区域，该第一区域具有多个第一蚀刻槽，该第二区域具有多个第二蚀刻槽，每一第一蚀刻槽及每一第二蚀刻槽具有相同的一蚀刻深度，该第一区域的一第一蚀刻式样密度高于该第二区域的一第二蚀刻式样密度；以及

一组件复合层，其包括一第二基板，以及位于该第二基板上方的一第一MEMS组件及一第二MEMS组件；

其中该覆盖层与该组件复合层互相结合，并在其间对应于该第一区域与该第二区域之处，分别形成一第一腔室与一第二腔室，其中该第一腔室容纳该第一MEMS组件且该第二腔室容纳该第二MEMS组件。

11.如权利要求10所述的复合微机电系统芯片，其中该第一腔室的压力低于第二腔室。

12.如权利要求10所述的复合微机电系统芯片，其中该第一区域的第一顶视面积相同于或不同于该第二区域的第二顶视面积。

13.如权利要求10所述的复合微机电系统芯片，其中该第一蚀刻槽之一的第一顶视面积相同于或不同于该第二蚀刻槽之一的第二顶视面积。

14.如权利要求10所述的复合微机电系统芯片，还包含沉积在该第一蚀刻槽上的一吸气材料或一释气材料。

15.如权利要求10所述的复合微机电系统芯片，还包含沉积在该第二蚀刻槽上的一吸气材料或一释气材料。