[发明专利]氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片有效
申请号: | 201410042037.0 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103794687B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 蔡武;郑远志;周德保;杨东;陈向东;康建;梁旭东 | 申请(专利权)人: | 圆融光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 led 制备 方法 芯片 | ||
1.一种氮化镓LED制备方法,其特征在于,包括:
在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层;
其中,在开始生长所述N掺杂氮化镓层至结束生长所述多量子阱层的时间段内,进行至少一次热退火处理;
所述在开始生长所述N掺杂氮化镓层至结束生长所述多量子阱层的时间段内,进行至少一次热退火处理包括:
在生长所述多量子阱层中,每次结束生长阱包覆层时进行一次所述热退火处理,其中,所述多量子阱层为按照设定周期依次生长的至少一组垒层、阱层和阱包覆层;
所述热退火处理前的温度为760℃,所述热退火处理的退火温度为500℃~600℃,退火升降温速率为50℃/min~100℃/min,退火时间为3min~5min,退火的气体为氢气H2和/或氮气N2。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在开始生长所述N掺杂氮化镓层至结束生长所述多量子阱层的时间段内,进行至少一次热退火处理包括:
在生长所述N掺杂氮化镓层结束时,进行所述热退火处理。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在开始生长所述N掺杂氮化镓层至结束生长所述多量子阱层的时间段内,进行至少一次热退火处理包括:
在生长所述量子阱过渡层结束时,进行所述热退火处理。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述设定周期数为2-20中任意值。
5.一种氮化镓LED,其特征在于,包括根据权利要求1~4任一项所述的氮化镓LED制备方法制备的氮化镓LED。
6.一种芯片,其特征在于,包括至少一个权利要求5所述的氮化镓LED。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司,未经圆融光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410042037.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发光二极管及光学相干层析成像系统
- 下一篇:一种柔性背板以及光伏组件