[发明专利]研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供待研磨的氮化镓基板；

对所述氮化镓基板进行第一化学机械研磨，所述第一化学机械研磨为粗磨；对所述氮化镓基板进行第二化学机械研磨，所述第二化学机械研磨相对于所述第一化学机械研磨为细磨。

2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨中的研磨颗粒在研磨液中的质量百分比在2～15%的范围内。

3.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨中的研磨颗粒的平均直径在100～500纳米的范围内。

4.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨中的研磨颗粒的莫氏硬度大于7，所述研磨颗粒中包括金刚石颗粒、三氧化二铝颗粒、二氧化钛颗粒或者氧化锆颗粒的一种或者多种。

5.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使第一化学机械研磨的研磨液中包括卤素氧化剂或者过氧乙酸。

6.如权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，所述卤素氧化剂包括溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐中的一种或者多种，或者为氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐中的一种或者多种，或者为碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐中的一种或者多种。

7.如权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，所述氯酸盐包含氯酸钾；所述溴酸盐包含溴酸钾；所述碘酸盐包含碘酸钾；所述高碘酸盐包含偏高碘酸。

8.如权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，使所述卤素氧化剂的PH值在2～6的范围内。

9.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨采用硬研磨垫。

10.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨采用研磨面上具有凹凸纹路的研磨垫。

11.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨的研磨下压力在5～10磅/平方英寸的范围内，并使研磨头的转速在70～150转/分钟的范围内。

12.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第一化学机械研磨的步骤包括：使所述第一化学机械研磨停止于所需厚度的氮化镓基板上方1000～2000埃的位置。

13.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第二化学机械研磨的步骤包括：使所述第二化学机械研磨中的研磨颗粒在研磨液中的质量百分比在1～10%的范围内，且所述研磨颗粒的平均直径在10～100纳米的范围内。

14.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第二化学机械研磨的步骤包括：使所述第二化学机械研磨的研磨颗粒中包括二氧化硅、三氧化二铝或者氧化铈中的一种或者多种。

15.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第二化学机械研磨的步骤包括：使所述第二化学机械研磨的研磨液中包含过氧化氢以及卤素氧化剂。

16.如权利要求15所述的研磨方法，其特征在于，所述卤素氧化剂中包括溴酸盐、亚溴酸盐中的一种或者多种，或者，所述卤素氧化剂中包括氯酸盐、亚氯酸盐中的一种或者多种。

17.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第二化学机械研磨的步骤包括：使所述第二化学机械研磨采用软研磨垫。

18.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第二化学机械研磨的步骤包括：使所述第二化学机械研磨的研磨下压力在1～5磅/平方英寸的范围内；使所述第二化学机械研磨的研磨头的转速在30～150转/分钟的范围内。

19.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，进行第二化学机械研磨的步骤包括：使所述第二化学机械研磨采用的研磨垫具有平坦的研磨面。