[发明专利]QFN 框架制作方法在审
| 申请号： | 201410043037.2 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103824782A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张卫红;张童龙 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qfn 框架 制作方法 | ||
1.一种QFN框架制作方法，其特征在于，包括步骤：
S101：提供一定厚度的金属片条；
S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；
S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；
S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；
S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。
2.根据权利要求1所述的QFN框架制作方法，其特征在于，步骤S101所述的金属片条为铜合金。
3.根据权利要求1所述的QFN框架制作方法，其特征在于，步骤S104前还包括：在金属片条正面形成的金属布线上作为焊盘的部位镀表面材料层。
4.根据权利要求3所述的QFN框架制作方法，其特征在于，对所述金属片条表面进行抗氧化处理。
5.根据权利要求1所述的QFN框架制作方法，其特征在于，步骤S105中金属片条背面的金属凸点高度保持不变。
6.根据权利要求1所述的QFN框架制作方法，其特征在于，在步骤S105之后还包括：在金属片条背面镀护铜剂或者覆盖可焊接金属层，在所述金属凸点表面布置锡球。
7.根据权利要求1所述的QFN框架制作方法，其特征在于，在步骤S105之后还包括：在金属片条背面覆盖绝缘保护层，所述绝缘保护层还覆盖金属凸点。
8.根据权利要求7所述的QFN框架制作方法，其特征在于，所述绝缘保护层为绿漆。
9.根据权利要求7所述的QFN框架制作方法，其特征在于，还包括：去除金属凸点表面的绝缘保护层，裸露出所述金属凸点。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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