[发明专利]具备ESD保护电路的半导体装置

权利要求书

1.一种具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，具有：

P型半导体衬底；

设于所述P型半导体衬底的N型阱；

设于所述N型阱内的P型扩散电阻；

在所述N型阱与所述P型扩散电阻之间形成的二极管；

设于所述P型半导体衬底的第1 NMOS晶体管及第2 NMOS晶体管；

设于所述P型半导体衬底的接地端子；以及

设于所述N型阱的电源端子，

所述P型扩散电阻的一端与输入端子连接，另一端与所述第1 NMOS晶体管的漏极连接，进而与内部电路连接，

所述第1 NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接，

所述第2 NMOS晶体管的漏极与所述电源端子连接，所述第2 NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接。

2.如权利要求1所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，在所述第1 NMOS晶体管的栅极带电的电子经由所述第2 NMOS晶体管及所述二极管，从所述输入端子引出。

3.如权利要求1或2所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，在所述扩散电阻的另一端与所述内部电路之间，还具备一端与所述扩散电阻的另一端连接、另一端与所述内部电路连接的电阻。

4.如权利要求1或2所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，用于所述电源端子的N型扩散区域仅设于所述扩散电阻的另一端附近。

5.如权利要求1或2所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，用于所述电源端子的N型扩散区域以包围所述扩散电阻的方式设置。

6.如权利要求1或2所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，所述内部电路具有第2输入端子，所述第2输入端子是逆变器电路的共同栅极端子。

7.一种具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，具有：

P型半导体衬底；

设于所述P型半导体衬底的N型阱；

设于所述N型阱内的P型扩散电阻；

在所述N型阱与所述P型扩散电阻之间形成的第1二极管；

设于所述P型半导体衬底的NMOS晶体管及第2二极管；

设于所述P型半导体衬底的接地端子；以及

设于所述N型阱的电源端子，

所述P型扩散电阻的一端与输入端子连接，另一端与所述NMOS晶体管的漏极连接，进而与内部电路连接，

所述NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接，

所述第2二极管的阴极与所述电源端子连接，阳极与所述接地端子连接。

8.如权利要求7所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，在所述NMOS晶体管的栅极带电的电子经由所述第1二极管和所述第2二极管，从所述输入端子引出。

9.如权利要求7或8所述的具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，所述内部电路具有第2输入端子，所述第2输入端子是逆变器电路的共同栅极端子。