[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201410043857.1 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103972292A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 折附泰典;樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1导电型的半导体层；
第2导电型的第1阱区域，其在所述半导体层的表面内选择性地配置多个；
第1导电型的第1半导体区域，其在所述第1阱区域的表面内选择性地配置；
第2导电型的第2半导体区域，其在所述第1阱区域内与所述第1半导体区域连接；
主电极，其从所述第2半导体区域上开始配置至所述第1半导体区域的至少一部分的上部为止；
栅极绝缘膜，其从所述第1半导体区域的至少一部分的上部开始配置至所述半导体层的上部为止；
栅极电极，其配置在所述栅极绝缘膜上；以及
第1导电型的第3半导体区域，其在与所述第2半导体区域的下方对应且与所述第1阱区域相比较深的位置处，以与所述第1阱区域的底面接触的方式形成，
所述第3半导体区域的第1导电型的杂质浓度比所述半导体层高。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具有配置在彼此相邻的所述第1阱区域间的第1导电型的第2阱区域。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第3半导体区域形成为，其俯视时的大小与所述第2半导体区域相同。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第3半导体区域形成为，其俯视时的大小比所述第2半导体区域小。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第3半导体区域形成为，其俯视时的大小比所述第2半导体区域大。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体装置，其中，
所述第2半导体区域形成在与设置于所述半导体层上的凹部对应的位置上，所述第2半导体区域的表面的至少一部分相对于所述第1半导体区域的表面后退。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述第1阱区域具有使与所述凹部的下部相当的部分相对于其他部分向所述半导体层侧凸出的凸部，
所述第3半导体区域与所述凸部的底面接触而形成。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述第3半导体区域的杂质的注入深度以及杂质浓度与所述第2阱区域相同。
9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述第3半导体区域的杂质浓度比所述第2阱区域高。
10.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1导电型的半导体层；
第2导电型的第1阱区域，其在所述半导体层的表面内选择性地配置多个；
第1导电型的第1半导体区域，其在所述第1阱区域的表面内选择性地配置；
第2导电型的第2半导体区域，其在所述第1阱区域内与所述第1半导体区域连接；
主电极，其从所述第2半导体区域上开始配置至所述第1半导体区域的至少一部分的上部为止；
栅极绝缘膜，其从所述第1半导体区域的至少一部分的上部开始配置至所述半导体层的上部为止；
栅极电极，其配置在所述栅极绝缘膜上；以及
第1导电型的第3半导体区域，其在与所述第2半导体区域的下部对应且与所述第1阱区域相比较深的位置处，以与所述第2半导体区域的底面接触的方式形成，
所述第3半导体区域的第1导电型的杂质浓度比所述半导体层高。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
还具有配置在彼此相邻的所述第1阱区域间的第1导电型的第2阱区域。
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