[发明专利]改善硅纳米线太阳能电池性能的方法有效
申请号: | 201410043904.2 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103794680A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 曾湘波;王凌潇;张晓东;杨萍;李浩;谢小兵;王启明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 纳米 太阳能电池 性能 方法 | ||
1.一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中,并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极;
S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池,并持续一个预定时间;
S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池,并进行清洗。
2.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述硅纳米线太阳能电池包括前电极透明导电膜,所述电解液为与所述前电极透明导电膜反应可生成绝缘性反应物的溶液。
3.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述电解液的浓度为5mg/L~200g/L的氯化铝溶液。
4.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述导电金属网为透光的导电金属网。
5.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述稳压直流电源的电压范围为0.1V~20V。
6.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述导电金属网与所述硅纳米线太阳能电池彼此平行放置于所述电解液中。
7.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述步骤S2中所述到硅纳米线太阳能电池的光为能产生光电压的电磁波。
8.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述步骤S2中的预定时间为15s~200s。
9.如权利要求1所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述步骤S3的清洗步骤包括:用去离子水冲淋所述硅纳米线太阳能电池,然后用高纯气体吹干水分。
10.如权利要求9所述的改善硅纳米线太阳能电池性能的方法,其特征在于,所述高纯气体为氮气或惰性气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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