[发明专利]发光器件

说明书

公开了一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在导电衬底上；发光结构，布置在第一电极层上，该发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；第二电极层，电连接至第二半导体层；以及抗裂层，布置在边界上，发光结构沿该边界以芯片为单位被分割，其中抗裂层被布置在发光结构下方并包括欧姆接触发光结构的金属材料。

相关申请到交叉引用

本申请要求于2013年1月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0010618号的优先权，其公开内容通过引用的方式并入此处。

技术领域

实施例涉及一种发光器件。

背景技术

作为发光器件的典型示例的发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外光、可见光或光的器件。LED现在正被应用于诸如家用电器、远程控制器、电子招牌、显示器、各种自动电器等器件，并且LED的应用继续扩大。

通常，小型化LED被制造为表面安装器件，以被直接安装到印刷电路板(PCB)。因此，用作显示器件的LED灯还被开发作为表面安装器件。这种表面安装器件可以代替传统的简单照明器并用于照明显示器、字符显示器、图像显示器等，呈现各种颜色。

随着LED的应用范围扩大，用于日常使用的灯和用于呼救信号的灯所需的亮度增加。因此，重要的是增加LED的亮度。

另外，发光器件的电极应当具有优良的粘附和电气性能。

另外，提高发光器件的亮度和减小操作电压的研究正在进行中。另外，当晶片在发光器件基底上被切割时，会不利地产生裂纹。

发明内容

实施例提供一种减小正向电压(VF)、提高发光效率并当以芯片为单位切割时防止裂纹的发光器件。

在一个实施例中，一种发光器件包括：导电衬底；第一电极层，布置在导电衬底上；发光结构，布置在第一电极层上，该发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层；第二电极层，电连接至第二半导体层；以及抗裂层，布置在边界上，发光结构沿该边界以芯片为单位被分割，其中抗裂层被布置在发光结构下方并包括欧姆接触发光结构的金属材料。

抗裂层可以形成封闭区域。

抗裂层可以被布置在发光结构的外周上。

抗裂层可以具有30μm至70μm的宽度。

抗裂层可以包括Au、Be以及Au合金的至少之一。

抗裂层可以具有复合层结构。

抗裂层可以与第一电极层齐平。

该发光器件还可以包括布置在第一电极层和第一半导体层之间以减小其间的反射率差的窗口层，其中抗裂层接触窗口层的下部。

窗口层可以包括GaP、GaAsP或AlGaAs。

窗口层接触抗裂层的区域可以掺杂有极性与第一半导体层相同的掺杂剂。

第一电极层可以包括：透明电极层，布置在导电衬底和第一半导体层之间；以及欧姆层，包括多个贯穿透明电极层的金属接触部分，其中每一个金属接触部分包括AuBe。

透明电极层的平面区域可以大于金属接触部分的平面区域。

金属接触部分的平面区域可以是透明电极层的平面区域的10％到25％。

金属接触部分的表面可以接触第一半导体层。

发光结构可以包括AlGaInP或GaInP。

附图说明