[发明专利]半导体器件及其生产方法有效
申请号: | 201410043965.9 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972170B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | J·科租比;M·莱度特克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造方法,并且更具体地涉及处理薄半导体晶片或薄半导体芯片的技术。
背景技术
半导体器件制造商不断努力在降低制造其产品的成本的同时提升其产品的性能。半导体器件制造中的一个成本高的领域在于封装半导体芯片。如本领域技术人员所知,集成电路是在晶片上制作的,晶片随后被单片化(singulated)以生产半导体芯片。由于半导体芯片变得越来越薄,越来越需要能够处理薄半导体晶片或薄半导体芯片。随后,这些薄半导体芯片可以安装在诸如引线框架之类的导电载体上。这些薄半导体芯片还可以用在人工晶片中。希望的是封装方法以低费用提供高产率。
出于这些和其它原因,存在对本发明的需要。
发明内容
根据实施例,提供了一种方法,包括:将增强晶片应用于半导体晶片,由此形成复合晶片;以及分割复合晶片,由此生成多个复合芯片,每个复合芯片包括半导体芯片和增强芯片。
根据实施例,提供了一种复合晶片,包括:半导体晶片,包括第一主面和第二主面;以及增强晶片,被附接到半导体晶片的第一主面,其中半导体晶片具有小于40μm的厚度。
根据实施例,提供了一种复合芯片,包括:半导体芯片,包括第一主面和第二主面;以及增强芯片,被附接到半导体芯片的第一主面,其中半导体芯片具有小于40μm的厚度。
根据实施例,提供了一种方法,包括:提供具有第一主面和第二主面的基板;将半导体芯片附接到基板的第一主面;以及通过向基板的第一主面上沉积金属层来嵌入半导体芯片。
根据实施例,提供了一种半导体器件,包括:基板,具有第一主面和第二主面;半导体芯片,被附接到基板的第一主面;以及金属层,被沉积到基板的第一主面上,由此嵌入半导体芯片。
附图说明
附图被包括用于提供对实施例的进一步的理解,并且被并入并且构成本说明的一部分。附图示出实施例,并且连同说明书一起用于解释实施例的原理。随着它们通过参考以下详细描述而变得更好理解,其它实施例和实施例的许多预期优点将容易明白。
图1A-1C示意性地示出制造半导体器件的方法的一个实施例的截面图;
图2A-2B示意性地示出制造半导体器件的方法的一个实施例的截面图;
图3A-3J示意性地示出制造半导体器件的方法的一个实施例的截面图;
图4A-4F示意性地示出制造半导体器件的方法的一个实施例的截面图;
图5A-5F示意性地示出制造半导体器件的方法的一个实施例的截面图;以及
图6A-6D示意性地示出嵌入半导体芯片的方法的一个实施例的截面图。
具体实施方式
本发明的方面和实施例参考附图描述,其中通篇类似的附图标号通常用于指代类似的元件。在以下描述中,为了解释的目的,阐述大量细节以便提供对实施例的一个或多个方面的彻底理解。然而,对于本领域技术人员可以是显而易见的是可以用较小程度的具体细节来实施实施例。在其它实例中,以示意的形式示出了已知的结构和元件,以便有助于描述实施例的一个或多个方面。因此以下描述不应被视为限制性的,并且保护范围由所附权利要求限定。还应注意到,图中各种芯片、层、载体或基板的表示未必按比例绘制。
在以下细节描述中,对附图进行引用,其形成附图的一部分,并且其中以说明方式示出了本发明可以在其中被实践的具体实施例。就此而言,方向术语,诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等是参照被描述附图的定向来使用的。因为实施例的部件可以以许多不同的定向来放置,所以方向术语用意在于说明而绝不是限制。应理解,在不偏离本发明的范围的情况下可以利用其它实施例和结构并且可以做出逻辑上的改变。因此,以下具体实施方式不应被视为限制性的,并且本发明的保护范围由所附权利要求限定。
应理解,本文描述的各种示例实施例的特征可以彼此组合,除非特别指出或者除非受技术所限。
如在本说明中所采用的,术语“接合”、“附接”或“连接”并不意味着是指元件必须直接彼此接触在一起;可以在“接合的”、“附接的”或“连接的”元件之间提供居间元件或层。
进一步在下文中描述的半导体芯片可以是不同类型的,可以通过不同技术制造,并且可以包括例如集成的电子、光电或机电电路和/或无源件。
半导体芯片可以包括诸如逻辑集成电路、控制电路、微处理器、存储器设备等之类的集成电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造